HBM测试中VDD-GND(+)与GND-VDD(-)的区别

caesarxl

原帖由 frankaurora 於 2009-6-11 12:28 AM 發表
谢谢上面两位，现在初步判断是因为我的IO只对GND做了GGNMOS，所以在从IO向VDD打的时候，ESD电流虽然没有损坏GGNMOS，但在VDD和GND之 ...

不知这个case有无结论？
: I& O7 O9 _* S我认为有2件事情还要详细信息：
1）测试的细节，比如在测gnd-vdd(-)之前，是否有进行其它测试。比如你提到的有测试其它信号IO。
8 \2 Y5 q3 [# f$ x) [- _+ U2）最好有emmi图片，这几乎是ESD分析必须的手段。
% I, e! V/ c% ^! J5 N/ q. P就你发上来的vdd-gnd间的ESD保护电路来看，vdd-gnd之间的4种模式都不应该有问题。这种保护电路是目前比较流行的结构。
: q1 n+ Y" T0 D& n4 f. J! M7 f# R个人看法。欢迎讨论。

caesarxl

原帖由 frankaurora 於 2009-6-11 12:28 AM 發表
! \& b) s$ T) Y4 ]; j谢谢上面两位，现在初步判断是因为我的IO只对GND做了GGNMOS，所以在从IO向VDD打的时候，ESD电流虽然没有损坏GGNMOS，但在VDD和GND之 ...

补充一下：
你所说的这种情况是很可能存在的。通常来讲，对于信号IO-gnd,IO-vdd是都要做保护的。如果因为电路设计的需求，而无法做IO-vdd的保护，那么是有风险的，这时就要非常谨慎，把可能出问题的地方分析仔细。