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海力士半導體、LG Electronics、三星電子和Silicon Image簽署長期協議以建立下一代記憶體介面技術規範
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: g, x& S1 R& c(20090521 12:10:46)美國商業資訊加州SUNNYVALE消息——海力士半導體公司 (Hynix Semiconductor, Inc.,other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社 (other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司 (那斯達克股票代碼:SIMG) 今天宣佈組成一個產業聯盟,推廣串列埠記憶體技術 (SPMT™) 在市場的應用,努力使之成為產業標準。作為第一個針對動態隨機存取記憶體 (DRAM) 的記憶體規範,SPMT將首先把目標瞄準手機市場,推動產生能夠執行資料高度密集的豐富媒體應用、同時電池壽命更長的新一代行動裝置。
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u9 s2 Q) K6 _SPMT, LLC的首席技術顧問Jim Venable表示:「很高興看到這幾家頂尖公司攜手合作,共同成立SPMT聯盟來開發和推廣一種新的記憶體介面架構規範,以滿足豐富媒體行動裝置不斷發展的需求。串列埠記憶體技術將成為業界科技發展的一大步,將為手機設計人員開發新一代產品提供全新的視野。」
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X: S* N1 i3 p D: r! w" `' A+ M/ c未來隨著手機具備越來越多電腦中的常見功能,以及手機和手持式豐富媒體裝置間的界限越來越趨於模糊,為滿足對更大頻寬以及低功耗和低成本的需求,新型的記憶體架構就必不可少。
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海力士半導體記憶體產品部資深副總裁JB Kim表示:「成功的行動產品解決方案不僅要實現更多的功能和特點,還要想辦法延長電池壽命。SPMT已經為滿足前端行動裝置的需求做好了準備,SPMT工作團隊將為這一不斷發展的市場定義下一代記憶體介面的標準,能成為該團隊的一份子我們感到十分自豪。」 / _" \( d7 \! p1 W& ^' w9 L
+ c- v/ L, e: B成立SPMT聯盟的宗旨是為實現新一代行動裝置所需的頻寬彈性和延展性提供對應的技術,同時大幅減少插腳數量 (pin count),降低功耗及成本。 |
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