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ADI用於Microsemi SiC功率模組的高功率和高電壓隔離閘極驅動器板加速產品上市 ...

2018-3-7 02:16 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 433| 評論: 0|來自: 亞德諾半導體

摘要: ADI與Microsemi共同推出首款用於半橋SiC功率模組的高功率評估板,該評估板在200kHz開關頻率時可提供最高1200V電壓及50A電流;隔離板旨在提高設計可靠性,同時減少創建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節省時間 ...
Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半橋SiC功率模組的高功率評估板,該評估板在200kHz開關頻率時可提供最高1200V電壓及50A電流。隔離板旨在提高設計可靠性,同時減少創建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本並縮短上市時程。ADI和Microsemi並將於2018年3月4日至8日於美國德州聖安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估板。

(圖片來源:ADI官網)

新評估板可用於更複雜拓樸(例如全橋或多位準轉換器)的構建模組,以進行對客戶解決方案的完整工作台調試,其同樣可作為最終評估平台或用於類似轉換器的配置中,以全面測試和評估ADI採用iCoupler®數位隔離技術的ADuM4135隔離閘極驅動器和高功率系統的LT3999 DC-DC驅動器。

該高功率評估板使Microsemi的SiC功率模組可提供諸多優勢,例如:通用測試台,提供更高功率密度以縮減尺寸和成本,透過隔離導電襯底和最小寄生電容達到更高效率、性能和卓越的熱管理。這些特性使該評估板適於諸多應用,包括電動汽車(EV)充電、混合動力汽車(HEV)/EV車載充電、DC-DC轉換器、開關電源、高功率電機控制和航空作動器系統、等離子/半導體製造設備、鐳射和焊接、MRI和X光設備等。

產品特點摘要
    • 半橋拓樸
    • 1200 V、50 A @ 200 kHz
    • >100 kV/µs CMTI
    • 1.2 kV電氣隔離
    • 獨立的高端和低端PWM輸入(單一控制,70 ns死區用於測試)
    • 1 LT3999 + 1 ADuM4135(高端和低端)
    • 全面測試的去飽和保護
    • 用於V+、V-和AC相位連接的低電感和高電流端子
    • 支援標準SP1封裝的Microsemi半橋SiC功率模組,即APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG 

價格及供貨

產品

單價

封裝

EV-MS4135PL1Z-UI

495美元

評估板



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