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格芯以eVaderis超低耗電 MCU 參考設計 強化 22FDX® eMRAM 平台

2018-3-2 11:41 AM| 發佈者: irischew| 查看: 271| 評論: 0|來自: eVaderis

摘要: ---雙方共同開發的技術解決方案,大幅降低物聯網及穿戴式產品耗電及晶粒尺寸---格芯 (GLOBALFOUNDRIES,原格羅方德) 與 eVaderis 今日共同宣布,將運用格芯的 22nm FD-SOI (22FDX®) 平台嵌入磁阻式非揮發式記憶體 ( ...
---雙方共同開發的技術解決方案,大幅降低物聯網及穿戴式產品耗電及晶粒尺寸---

格芯 (GLOBALFOUNDRIES,原格羅方德) 與 eVaderis 今日共同宣布,將運用格芯的 22nm FD-SOI (22FDX®) 平台嵌入磁阻式非揮發式記憶體 (eMRAM) 技術著手開發超低耗電微控制器 (MCU) 的參考設計。結合格芯 22FDX eMRAM優異的可靠性與多樣性,搭配上 eVaderis 的超低耗電 IP,雙方合作所提供的技術解決方案能夠支援大量應用,例如電池供電的物聯網產品、消費性及工業用微處理器,以及車用控制器。

eVaderis 的 MCU 設計可充分發揮 22FDX 平台的高效電源管理能力,相較於前代 MCU,可達成 10 倍以上的電池續航力,並大幅降低晶粒尺寸。這項藉由格芯 FDXcelerator™ 合作夥伴計畫 (FDXcelerator™ Partner Program) 開發的技術,可幫助設計人員將效能密度及彈性推向新的境界,提供更為小巧、符合成本效益並以電力為重點的單晶片解決方案。

eVaderis 總裁暨執行長 Jean-Pascal Bost 表示:「eVaderis 創新架構的超低耗電 MCU IP 設計以格芯的 22FDX eMRAM 技術為基礎打造,非常適合常時關閉 (normally-off)物聯網應用。以格芯的 eMRAM 做為工作記憶體,可讓MCU 區段的電力循環頻率提高,避免如在傳統 MCU 效能上造成的影響。在今年底之前,eVaderis 希望能將這項矽驗證 IP 提供給客戶。」

格芯嵌入式記憶體部門副總裁 Dave Eggleston 表示:「穿戴式和物聯網裝置需要耐久的電池續航力、更高的處理能力並與先進感測器進行整合。eVaderis 身為 FDXcelerator 合作夥伴,正在運用GF的 22FDX 及 eMRAM 開發最佳化 MCU 架構,幫助客戶達成更高的需求。」

使用格芯的 22FDX 及 eMRAM 共同開發的參考設計將於 2018 年第 4 季面世。現已提供 22FDX、eMRAM 和射頻解決方案的流程設計套件。多計畫晶圓 (MPW) 上的 22FDX eMRAM 現在已經開放,eMRAM 巨集現也已提供,搭載eFlash 和 SRAM兩種簡易介面選項,幫助客戶更容易地進行產品設計,格芯預計在2018年風險試產。

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