關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
8 u  P/ g$ w1 h/ O7 Y/ \可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
; N# Y+ Z7 D+ J& G3 n2 u  ]因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
, P; ?+ a" D) i! H% |8 i6 K
所以想請問一下大大~  
0 ?) A/ ]. ]) b3 J4 f- H; P# QN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
9 C4 w( i* |, D, n8 t1 t! s# v這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
) P. h( u4 ?- g/ ]bandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
: v0 R' l( y+ u9 o  k, ibandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
, j) A5 p; x" t, I; M8 V9 [& @2 WBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
3 }/ X% R% k/ f: f
) t2 C  `  @: V

[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
9 G& V7 `' y5 l3 M( M& S* L  S應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
) Y/ }  v$ i! q- S* W1 v但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
) T4 ]( \5 s0 c應該是接成MOS diode的型態
3 M/ c  ^, ?  A- B+ J7 I" U* A, e
re:relax918
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
  }/ }8 @6 b' y8 ~+ I9 |- z這種架構就類似於Diode-connected Transistor
4 G0 Z6 m( ]- i$ r% i, P二極體接法形式的電晶體
% u5 `' i4 p3 V2 d0 Q這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
3 }, u/ k, L2 Z. c3 ?+ r8 }但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的

% |1 G3 R& w0 g  e! }2 x* g6 T* v而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已
/ W7 ?+ L( B; J, n; m
所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
# i, L6 s$ G9 B5 V7 t, K應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
9 M9 ^$ u" l- U* T4 O  R8 K" d! i
但是何者較穩定就不保證了
# }/ X. [& R; G  L, R8 p$ p0 Z% _
因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
& u( O9 C3 {% D, \5 D( m  n  @0 a應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
5 o: L- u! F" l假如G端也接地的話  ...

感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉