e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster

. O* `' i$ M* B/ n  b* X
    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV
  @; h6 Q. |, K5 F- M; B& n+ j
得如此
5 {) G" p$ a: Q( d6 `  ?
一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
METAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE

" q! V6 }: f; o1 l7 g一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
0 T1 L: E1 \) L* N6 E+ o還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
) j* |/ B4 W- {9 ]
VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝
1 w- E0 _, J* U/ r% [9 u
' C; q6 ?$ ^% QLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas

5 H8 k$ k) g$ J/ \) u
3 @' p/ l: x5 F    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
billycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

剛好看到這個討論
8 S4 S7 c- Z5 Xe-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
  B: j- F2 K8 a8 q+ |大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
. f3 F2 A* B0 ?3 o3 v. r4 v, u還有recovery的問題!
可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
這種事只有親身遇過才知道....
至於原理可以去查查 failure analysis 的書
+ L3 Q  |- i! \
前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
1 i1 ~& }% x, s! y+ y! }1 ~他也confirm了這點~
) b4 a* h# D0 e' D+ j6 G; F他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
) v- x3 z( r$ {+ k9 p所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
小弟做test key失敗好幾次
  B* n! p4 e) |6 f. ~$ }果然沒有ＦＡＢ幫忙
6 {. p& d2 t" m% ]% d要花很多時間