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發表於 2008-1-29 02:13:33
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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis
8 `! U! [' v) J# h+ B" ?# M在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner, [) ^$ N+ E# H
. ~- D) p0 b7 |2 {7 _Device Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況 0 P% v; W( r6 k) e2 C
電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低
$ s* Z4 H' s6 E7 X8 Z3 l8 \! Q
- a- ?7 r* Q7 E$ d這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case
+ Y2 ]8 o% [, M$ ?4 ~如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.
* ~) c {6 S9 S. p, u' d
) j1 t' M* t, G6 C3 XIC製造出來的良率 自然就會提高很多.+ d1 Z) X5 D) ^* M7 A: \6 l
* t9 r' q; J* I' f5 K
至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料0 ^7 ~+ M1 M" I' }, L* q$ B Y% h
大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法3 E0 O0 @2 N( s% o% [" }$ K/ n" @# X
在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值
' ?4 @/ V; K {. H6 _& c(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免9 W9 z2 g7 w* Q, b$ B
下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)
, K+ z$ P I! w) m! W
9 Y: J2 r7 @, `; H( ]; Y範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升5 @& y, Q1 {: E5 `
範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好: O( m& W+ W/ m- F
/ m Y- J3 c3 d c: R: g3 R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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