bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
op db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
2 S1 S, ?5 g" t8 t8 J) H0 N! N不知是OP還是帶差出了問題??
! D$ F1 V; t1 t, K* x. ]& c7 e請各位大大幫忙


# q7 _) F* O/ ~+ N' N" p% Y" f% A以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
3 L- ]' [/ z: G1 z如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



/ S+ H1 L! i6 Y% \9 _0 s[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
4 r5 Q- T+ g3 q7 ^3 n
4 O( H& F# b1 N& ], t如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
2 c7 s" j: B" D& d  n" }) w+ `我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
; o. M) S* S  A) [  A2 m5 cOP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
+ H0 G% ?8 H: |: m. I+ Y這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
8 n9 `* ~( @9 S: l& t8 w" s我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
. z3 f' ~* l, I% ~7 J
你還是秀圖吧~~

mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

帶差:

大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
* x- X* C7 p8 N; L" P. W, Y( G確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
! h% M) t* e3 ^0 ?
1 p) W/ C9 Y& P2 K7 g4 v; M& o5 r但是我的OP增益卻下降到很低
3 Y& H7 E/ ^# s8 V* f: j% [壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
$ s/ }% G; b6 @$ D8 l. m' E請問大大:
! ]- v" B/ o( {" F1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
7 L3 V- t" j1 W! \% l8 |' w9 }2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
% K4 h* [9 G9 q4 c# h3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
) ?8 w. ^" L$ @1 U& K! n現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
7 h- n3 t8 H7 T4 r/ {, l2 r! W
* x( |$ Y- Q4 q9 H2 q2 U[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

下圖左半部是幹啥用的? start-up?

如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?

' V& F. |9 k5 @& U3 g, E5 o* p如果不是...還請指教是幹啥的...

你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
' E, T$ c. e2 K/ p7 r3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
5 {6 I+ w$ |8 p. ~/ l0 G. D4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
" y3 f8 e0 ]% r& J$ ]$ F下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
1 w; e6 P  A5 {" n/ @7 P+ u請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
3 F+ e0 n5 G2 q) f主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的
& t# }; x+ A8 X' W0 C1 G4 O) {% w
  J# m; B" H2 z7 n( g$ p回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
8 l0 Y* `' i4 m: U8 {
: D0 Q5 u: t- ^8 X  z我的bjt顆數比為8:1
* e9 U6 ?  e) Z- Z6 E2 q6 D8 S2 m我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
7 N! ]! v- B- G. c" J. H我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
2 m; i4 H/ v" T$ r
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
3 r1 u' x1 d# H  P6 |  u- p# K3 c6 u
根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

. [) I; H$ N4 {' }+ X8 o9 {! O此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP

因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
3 B! @" a( Y" ], u0 g' M, ?
! ?* k0 H1 X( W4 i* _加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG
% }9 j& G3 r/ j# m( m6 k
, |1 C# s8 y+ e0 w也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

( ]6 l7 b4 t+ h8 ZBIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
2 w2 R2 l/ p, H6 ?5 `% g
建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     
/ \' G2 q1 }; B' O/ \
$ ]0 z4 r9 H( h8 P# e% m- k+ x.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
* D& p: Z: Y/ D- G2 x我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩