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[問題求助] 請教兩個關于ESD的問題

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1#
發表於 2008-11-29 11:40:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
第一個: 輸出PAD需要加ESD不  比如 NMOS管的漏端作為電流鏡�流輸出的接口。這個PAD要不要加ESD啊?
. ^: U" W: {% i6 s8 F第二個:工業上測試一個芯片的ESD的時候 是同時在所有的引腳無論輸出還是輸入加電壓測試還是ONE BY ONE的一個一個的測試
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2#
發表於 2008-12-2 21:21:42 | 只看該作者
原帖由 hvpower 於 2008-11-29 11:40 發表   V/ [; P- Y+ T% i
第一個: 輸出PAD需要加ESD不  比如 NMOS管的漏端作為電流鏡�流輸出的接口。這個PAD要不要加ESD啊?( c+ R; m, t- i! H2 B
第二個:工業上測試一個芯片的ESD的時候 是同時在所有的引腳無論輸出還是輸入加電壓測試還是ONE BY ONE的一個一 ...
7 }  s: B& f' }' n

+ C  U9 ~; a  Q. H我是这样理解的:, h! A% ]7 z& F
第一個:输出PAD也要做ESD保护,否则这个NMOS管也容易损坏% o6 [2 y: A' w9 f# m, T) r. X
第二個:这是根据ESD测试标准来测试的,引脚由我们提供,测试公司只负责测试;
; L' \! D# k  c        我们选择一些具有一些代表性的引脚出来就可以了,不需要每个都测试;
3#
發表於 2008-12-11 13:56:32 | 只看該作者
进入芯片的静电可以通过任意一个引脚放电,测试时,任意两个引脚之间都应该进行放电测试,每次放电检测都有正负两种极性,所以对I╱O引脚会进行以下六种测试:  D5 y7 Q7 q1 h
1) PS模式:VSS接地,引脚施加正的ESD电压,对VSS放电,其余引脚悬空;
$ |- \3 B6 B9 M4 `' Y& ~2) NS模式:VSS接地,引脚施加负的ESD电压,对VSS放电,其余引脚悬空;. v- \, Z/ T- y  R8 O& M
3) PD模式:VDD接地,引脚施加正的ESD电压,对VDD放电,其余引脚悬空;# w9 u+ E9 N) Z; ^. [& @$ ~
4) ND模式:VDD接地,引脚施加负的ESD电压,对VDD放电,其余引脚悬空;
, ]- D- o, S( e5) 引脚对引脚正向模式:引脚施加正的ESD电压,其余所有I╱O引脚一起接地,VDD和VSS引脚悬空;- E4 S' B6 m5 \
6) 引脚对引脚反向模式:引脚施加负的:ESD电压,其余所有I╱O引脚一起接地,VDD和VSS引脚悬空。
  r3 q* Y* {! p1 @VDD引脚只需进行(1)(2)项测试
$ H" M2 r4 m' v) G% q
  k* B- T" w! }. L! q应该是one by one 的测试,管脚多的话,排列组合就多,很费时的。
4#
發表於 2008-12-11 13:57:33 | 只看該作者
第二个:ESD测试都是有参考引脚的,也就是说某个引脚的ESD测试不是孤立的,而是相对于某个引脚的ESD电压,通常是对电源和地。因此,ESD测试都是一对引脚一对引脚地测试的。ESD测试还有不同的模型,如HBM,CDM等
5#
 樓主| 發表於 2008-12-22 13:50:21 | 只看該作者
THANK YOU  ABOVE  
6#
發表於 2008-12-22 18:30:52 | 只看該作者
It must be tested one by one.  Or you may miss something?
7#
發表於 2010-1-12 18:22:13 | 只看該作者
1. 只要是有跟外界接觸的針腳都要加ESD保護電路
. q% ^7 e( L$ ~6 S2.每隻針腳都要測試 一根一根來你可以看JEDEC standard 
8#
發表於 2010-1-20 16:17:25 | 只看該作者
回復 7# wesleysung
# s% U) k, p3 x9 ]* }! T
! }) g8 D% p" z9 Y第一個: 輸出PAD需要加ESD不  比如 NMOS管的漏端作為電流鏡�流輸出的接口。這個PAD要不要加ESD啊?1 Z/ b( b* e9 M% F( m6 o; u

' \' z+ q3 C- I( x  u6 Z每一个与外界相连的PAD都需要加ESD保护,无论是input,output,power pad.8 D$ t: m, f$ A% \
) I# E3 s8 A. }3 i; f5 b
第二個:工業上測試一個芯片的ESD的時候 是同時在所有的引腳無論輸出還是輸入加電壓測試還是ONE BY ONE的一個一個的測試。
% g. p% R9 Z1 i9 ?! U1 r5 Q- r( F+ {' [8 s; Z- K) N/ T
只有严格按照JEDEC 的测试要求才能准确地反映IC 的ESD能力。
  ~+ c% s4 T) e* ~# n+ D/ l每一个power pad VS. 每一个power pad;: Y1 k7 ^/ F5 ?
每一个I/O pad VS. 每一个power pad;" o2 x5 m' g1 {3 p
每一个I/O pad VS. 每一个I/O pad
9#
發表於 2010-1-20 18:45:12 | 只看該作者
看了這些文章
* Y+ R& g/ v# Q3 m對esd protection又有進一步的認識了
10#
發表於 2013-7-15 17:11:15 | 只看該作者
每测一次,都要换新的IC吗?
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