Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
# X5 V5 ~% Z, c% X( z5 xA gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
: [8 V( @* s9 r: O. uSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
& N9 N- X/ p8 J4 }* M4 _
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
5 R$ ]! g: o% l+ s+ @! d8 @Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
2 p7 |, l# L' A7 z- l8 M0 o
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
4 u. V8 r1 O" t) T+ n" D; e' gSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
; B% c0 {/ x4 f8 ?6 k( ~Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
5 V* n2 f0 d" a# t" HOutput series: Current sampling輸出電阻變大
7 h: q$ c7 c& g7 [% k. l+ H' Z

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~
3 z6 [' M( [5 R" {0 l! Z* ~& g
side 0732
只需要3各bias 點~
M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
) a' |0 u5 `, `" ndepending on the phase margin required.
3 D/ U+ \4 Y% c% ~=> 更正
. D9 z3 Q" u9 ?6 O% N3 B! QIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
5 A1 L; [) j, s7 i/ t5 Y2 y: `depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
& N- o0 H2 F1 c9 v% Q回復 32# tuza2000

9 M2 A- \; z. U) f/ ]/ v上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
+ G- W4 r7 z6 H+ X

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
1 `* r# A' w+ N所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
6 m! G9 O7 J; TStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
8 r# u1 l- P4 DNoise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
1 Y- M+ N4 S# p. Z8 v' jNoise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
$ p2 ]' `/ X3 Z) V; x還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
0 d, |$ P8 b0 C8 i0 d1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
4 P, N( S+ p6 ?* |3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
4 h, E% u3 \# M& B. nVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
* ^1 ^0 F- w1 t  }3 ?0 W. q4 j
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
0 L" o% n% |, t6 u9 {8 o* d用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
& C' y! r: y2 T  [6 F2 I+ b* z: v

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
' E9 _7 V% N5 m5 p4 S
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
* k6 f) J( J' M所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, D* w: ?2 o3 W. V; Z

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
2 t6 ^+ Y' t# y1 h) q
; q' M  u! j: Y3 `, t3 [=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
; T  o3 E7 r/ S0 ~) l" L/ R用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
9 |# _4 u+ j& Y. F5 F2 g

賴永諭

slide 2222
5 D( t  W. c  Z; m6 u, R5 G( m/ i4 ~5 G+ iVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
0 y( b+ u7 b5 a3 a1 k
0 _$ d2 z& q  E9 ^6 O5 _=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
) W4 r& M7 u/ {用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
1 P# y. t5 _% r  E9 g$ k所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
: l: A9 u. x4 o4 b1 c

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
  z' {  J3 J% h5 d  r6 g1 Q6 s7 Z
gmmax 應該是C1WC1/2C3

$ ~) t% s; i4 s0 J/ R$ C/ j=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
2 S8 b7 Y4 E& s% I: Yslide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

9 @& |9 `* ~! FgmA~ 4RsCL^2Ws^2
3 l! F$ O$ x0 B! {' v: I, b. \and 4WsCL^2/QCS


! w" q. |2 ^$ i" W7 E