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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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發表於 2008-5-30 09:24:58 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?/ r, k" _% L) S9 J( t0 K3 u
它們的差異在哪裡呀?
4 p; \' f9 C! R請知道的大大share一下!!
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 顯示全部樓層
網路上查到的.參考一下:, _6 i) l& s  [3 d: |, ?( G
"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting   A' a, o' @# \+ O0 @) P  G
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1 ; J% f/ M  j5 g& u
VIA ROM may have bigger cell size "

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masonchung + 3 熱心回覆!

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發表於 2008-9-29 13:52:58 | 顯示全部樓層
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer$ c7 n  j: z2 ^
不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的1 U- s: r" n( S# c/ {* v4 |
project,選用Diffusion ROM是很不智的。7 E8 G" _. g. r3 X5 C
但他有面積小、速度快的優點。6 F/ ^# n) _0 e* _6 r/ z: h
4 ?! R( \3 s! y# n: N0 s
另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
% K) M7 ?2 f7 K; g5 m3 i; m: c7 p方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看
2 o5 Z+ K2 x) N" p5 l你要投的fab有沒有支援此process。5 c+ h* L" {" t- c! s+ C
* S$ T/ c( f+ d$ l* n0 H5 S& ]: B6 v0 R* c
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。- f$ o4 L7 @  s
* d( X. f8 O# U  u3 ^, s. B7 }
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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發表於 2010-7-2 10:20:57 | 顯示全部樓層
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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