transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
. D& x: _: v- `6 v在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
( a, ~$ D/ {8 v2 k$ |跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
, s4 E. G% o! I, O在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
4 D$ w9 y$ E5 H. n* v+ [lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2 w) [  W: a" Q1 G9 k2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
# Y$ d% `& L4 R: y* V" P$ I2 bgaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

4 D# s$ J, o4 u' r) W4 u, S" ^


+ }7 |: _3 [' n0 ^    是这样的；
8 X) T# R) o* M% \   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得