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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
4 G. `- ^! ]. N% ^4 |9 l( i# `. p& W& y- U

! N- K8 H" b' D* ~1 E近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
4 N5 D. j# b- C$ w% i5 J查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。+ p5 g) A1 S$ h! c1 l
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、7 n+ G+ A3 U1 l4 T/ G
迷惑中....: G1 Q2 J$ O! ^# B1 s
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?
1 E, i9 P# g9 h7 Z( }# z* f- U9 }, ~0 y  e/ l9 H" Y

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?; f! o* ^; ]0 b3 A8 o

) x% d6 c: \1 p! E, m個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
* u5 M% m6 F' D! b- d& h5 l有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
  c1 q9 i, M: k- W: l% V( a- @; z有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
0 t! n% q7 g2 I2 ]  a# h1 @2 J( E這也是現實上要考量的. 6 U( L; h3 {, Q) e4 ?) ^, \5 F
/ h% W! _3 g% d9 w' j
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe5 E$ J* D6 W' E/ o( a; {
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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