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發表於 2013-8-26 09:19:27
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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。! o' H n1 ~8 Y$ t( v+ p& @
7 L8 ?. E8 q9 H: Y6 f東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。7 L; H; i' C: S
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。7 N+ w o# z" P) Y0 m5 x. T2 r
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Fab 5概況
# F( j7 N$ o! g2 ~8 b% L大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
. g, {" ~- f* ~# a9 ~$ m地上建築面積: 約38,000m2 % e5 H3 D4 \0 a u+ @3 a
總建築面積: 約187,000m2
2 t' V( K4 ]& u9 K開工時間: 一期:2010年7月 7 M6 A s1 z# Y! q- h) F* n8 g
二期:2013年8月 1 I5 N# ]6 v( p$ ?, w0 X- Q1 S! p2 [- E
完工時間: 一期:2011年5月 0 |9 |9 F. ^1 s N* S+ `9 g( x
二期:2014年夏(目標)
: h1 {% U; t' D6 w) F9 V投產時間: 一期:2011年7月
& j* m* e: \( g4 ]: X二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型$ E* y& ?" G" j- F( y
2 _5 E! N! Z0 J四日市業務部概況 - z$ O! [4 Y! ^- Y+ f# e
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
3 b0 c b* Y _+ \成立時間: 1992年1月
. ^9 l9 r" F& D8 w' e0 c總經理: Tomoharu Watanabe ! q2 j+ H$ |, W, L+ J5 X( u
員工數量: 約5,200名 - M7 M; R9 N. t8 E
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
! d1 R7 g1 C! E( D/ q; N場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) * f$ ?& } C ~- D _
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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