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Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits

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1#
發表於 2010-6-25 08:49:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits
5 m6 d% `, y5 `8 U4 e$ {9 \. U! q" \" e9 ^
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2#
 樓主| 發表於 2010-6-25 08:50:33 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has
7 a# f! u+ O7 [. T2 ^been widely used as an effective on-chip ESD protection device at
5 e, D' m4 B5 L) dGHz RF and high-speed I/O pads due to the small parasitic
3 C# M- w4 {4 N" ~% T+ zloading effect and high ESD robustness in CMOS integrated
8 s; ~5 ~# ]* u$ f; {0 d6 lcircuits (ICs). This work presents new ESD protection diodes
- N! x: f! A/ e6 t& Brealized in the octagon, waffle-hollow, and octagon-hollow layout' x# k, t3 l9 c
styles to improve the efficiency of ESD current distribution and
+ [, R1 e' \; wto reduce the parasitic capacitance. The new ESD protection+ v! _& y* c" s3 I1 `
diodes can achieve smaller parasitic capacitance under the same7 ]1 ]3 I, A& ]5 p0 G$ o
ESD robustness level as compared to the waffle diode. Therefore,
9 @0 f5 N8 H0 ]: `the signal degradation of GHz RF and high-speed transmission
; z2 w! b* }/ x3 v! G. `can be reduced due to smaller parasitic capacitance from the new
9 Y# X- M- [( A# Jproposed diodes.
3#
發表於 2010-7-28 13:45:45 | 只看該作者
看起來有幫助7 s7 W7 y: _0 o3 [9 W
感謝分享
. L8 Q4 m6 J# K  @  e( Y8 i- [* C" g: N先下載來看看
& N+ A; S4 ?- ^& @1 v" p+ `thank you ~
4#
發表於 2010-8-21 09:55:37 | 只看該作者
下載來看看0 r, ?. S% x& k8 p. Z( \
下載來看看
% D5 Y" O/ T  x. K' M, [下載來看看* u% o1 U' }; M, W, N- r7 ]
下載來看看8 A/ t2 N' a2 X3 m  ^6 a
應該有幫助% c' W5 }3 a8 k2 f, F
謝謝囉
5#
發表於 2010-8-24 14:58:33 | 只看該作者
谢谢楼主分享,非常感谢
6#
發表於 2010-9-10 15:49:01 | 只看該作者
看起來有幫助
% b* q  F% i9 O. @感謝分享
7#
發表於 2010-9-11 17:00:26 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has% Q+ q7 I4 Q" F- H4 t& c- s# _
been widely used as an effective on-c ...& y( B  m/ ]9 N% o8 b
semico_ljj 發表於 2010-6-25 08:50 AM
* f( _8 o9 Y- L7 m
! x7 Y) g" I1 v; T

% E* _, ~# N9 P: c4 y3 Y2 ]不知道这种形式的IO有没有经过测试,实际的效果和预想的有多少的差别,thanks!
8#
發表於 2011-6-7 17:02:48 | 只看該作者
正為ESD耐受度傷腦筋----
9#
發表於 2012-3-8 14:19:41 | 只看該作者
thank you very much for your sharing
10#
發表於 2021-8-13 17:43:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~~知識因分享而壯大!
0 E; V. Z. i! F7 ]4 P6 v
/ n8 [# R3 y/ R~只有站在巨人的肩膀上才不會被食人族吃了!
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