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[經驗交流] Low Voltage Design Techniques 的7大挑戰?

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1#
發表於 2010-4-30 14:07:41 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Low Voltage Design Techniques 的確有很多技術要挑戰?

底下有 工研院IEK資深產業分析師兼組長鍾俊元的分析圖:


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2#
發表於 2010-5-23 23:25:53 | 只看該作者
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增進知識
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3#
發表於 2010-6-4 13:33:52 | 只看該作者
个人认为是 Variable Threshold Voltage CMOS 和Sub-threshold Operation
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4#
發表於 2014-11-21 04:01:38 | 只看該作者
小弟認為是Sub-threshold Operation
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5#
發表於 2014-12-4 11:37:16 | 只看該作者
美高森美推出面積最小和抖動超低的 OTN 時鐘轉換器保持在時鐘領域的領先地位
高性能,超小尺寸ZL30169支援100G相干光網路

全球領先的電源、安全性、可靠性和性能差異化之半導體解決方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 發佈全新高性能光傳輸網路(Optical Transport Network, OTN) 時鐘轉換器ZL30169,該產品完全符合ITU-T G.8251規範,確保達到互操作性和令人滿意的網路性能。超小尺寸的ZL30169支援三路輸入和三路輸出,輸入輸出埠之間可實現任意頻率轉換,提供業內領先的250fs RMS輸出抖動性能,適用於100G相干光網路 (coherent optical network)。

市場研究機構Infonetics指出,100Gb/s是二○一五年至二○三○年的下一個首選速率,預計到二○一八年的營收將超過一百億美元,主要來自服務供應商。在二○一三年,100G埠數量將會增長五倍,達到七萬個。全新100G相干技術可實現最長2500km的長距離100G數據速率傳輸。

美高森美副總裁兼時鐘產品事業部門經理Maamoun Seido表示:“由於100G相干技術具有高效的頻譜利用率和長距離傳輸的優點,所以營運商正在快速採用這項技術,這將觸發靈活的客戶端速率對時鐘抖動的需求。我們的高靈活性ZL30169線卡器件可以滿足這些需求。”
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6#
發表於 2014-12-4 11:37:22 | 只看該作者
ZL30169在超小型5x5mm 32-pin QFN封裝中整合了數位鎖相環 (DPLL)、類比鎖相環(APLL)和EEPROM。APLL可程式輸出1Hz至1035MHz任意頻率的超低抖動時鐘,這是業內首個支援如此寬闊輸出範圍的時鐘產品。DPLL具有14Hz 至 500Hz的可程式環路頻寬,支援1kHz至1250MHz任意頻率輸入,以及無縫切換、保持和濾抖功能。EEPROM支援啟動時器件自動配置。ZL30169支援OTN傳送和切換過程中前向糾錯的動態速率轉換。ZL30169器件可以滿足ITU-T G.8251建議規定的所有抖動和飄移要求,確保達到滿意的網路性能。

ZL30169器件還支援數控振盪器(NCO)模式, 系統軟體能夠以極高解析度控制輸出頻率(優於0.01ppb),這項功能為那些使用FPGA設計自有Mapper以取代昂貴大型固定頻率電壓控制振盪器(VCXO) 的客戶提供了高成本效益的解決方案。

關於ZL30169器件

ZL30169器件支援多種客戶端速率,例如GE、10GE、SONET/SDH、SyncE、光纖通道、CPRI和數位視訊傳輸,主要特性包括:

•        三路輸入,兩路支援差分或CMOS,一路支援CMOS
•        1kHz 至1250MHz任意頻率輸入(1kHz 至 300MHz CMOS輸入)
•        輸入頻率有效性和準確度連續監控
•         <1Hz至1035MHz的任意頻率輸出
•        輸出抖動典型值為 0.16至0.25ps RMS (12kHz至20MHz 積分範圍)
•        精確的輸出調整電路和每個輸出埠支援相位調整
•        每個輸出埠都支援使能/禁用和無毛刺 (glitch-less)啟動/停止(停止高或低)

容易使用的評測軟體所產生的配置文本 (configuration script) 可儲存在內部EEPROM中,或者在系統處理器上運行。
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7#
發表於 2014-12-11 12:14:40 | 只看該作者

Enevate推出用於鋰離子電池的HD-EnergyR技術

以矽為主要材料的創新複合陽極技術使高能量密度鋰離子電池 成为可能

(20141211 11:34:19)加州爾灣--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--領先的先進可充電鋰離子(Li-ion)電池開發商Enevate Corporation宣布推出用於鋰離子電池的HD-EnergyR技術。Enevate的HD-Energy技術使高能量密度的可充電鋰離子聚合物電池成為可能,該聚合物電池使用以矽為主要材料的新型複合負極,其能量密度是傳統石墨負極的四倍。

Enevate Corporation總部位於加州爾灣,致力於為智慧型手機、平板電腦、超薄/混合式筆記型電腦以及穿戴式裝置提供先進的鋰離子電池,能夠以更薄的尺寸提供顯著提高的能量密度,以在更小空間內實現更長的執行時間。

美國國家科學獎章得獎人、協助發明鋰離子電池的德州大學奧斯汀分校材料科學教授John Goodenough博士表示:「Enevate採用獨特的創新矽負極技術,這是一個創新的技術,可提供高能量密度的鋰離子電池。令我印象深刻的是,他們的技術和製程非常實用、可製造性極高、且對高容量消費電子產品而言其價格相對低廉。」

Enevate的創新HD-Energy技術建立在幾年來的原創性研究工作基礎之上,該技術將以矽為主要材料的複合負極用於可充電鋰離子聚合物電池,與傳統石墨負極電池相比,其能量密度顯著提高。傳統石墨負極可儲存372mAh/g,而純矽經過合金化最高有可能儲存4200mAh/g。此獨立、導電的柔性負極主要由矽(以微矩陣複合物形式)組成,該微矩陣複合物具有100%活性且不包含鈍性或「死區」黏結劑,適用於大量生產。HD-Energy技術提供大容量整體式負極或「單粒子」負極,使得如今的電池設計可實現高達700-800 Wh/L的核心能量密度,循環壽命與石墨電池相似。使用矽奈米線或矽奈米顆粒的其他競爭性方法很難實現大量生產且成本昂貴。其他使用氧化矽(SiO)作為石墨負極稀釋添加劑的方法無法實現足夠的性能改進。
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8#
發表於 2014-12-11 12:14:46 | 只看該作者
Enevate技術長Benjamin Park博士表示:「公司已經利用創新的HD-Energy技術(採用以矽為主要材料的負極)研發了適於大規模生產且能量密度很高的鋰離子電池。這一新穎獨特的方法讓我們得以實現向體積能量密度超過1000 Wh/L的鋰離子電池躍進,非常令人興奮的是,這樣超高能量密度的鋰離子電池將使行動消費應用脫穎而出。」

Enevate行銷和產品執行副總裁Jarvis Tou表示:「想像一下智慧型手機和其他行動裝置擁有四倍的能量密度可以實現什麼樣的效果。時尚的產品設計及顯著增加的能量為高耗能的功能創造機會,例如,可支援新軟體功能、顯示螢幕感應器以及照相機升級,更快的連線速度以及更強大的性能。」

Enevate採用HD-Energy技術的客製化電池設計還具備極低的交流阻抗或內阻抗,通常不到石墨電池的一半。Enevate鋰離子電池利用當今鋰離子生態系統中可用的正極、隔膜和電解質,可滿足UN、UL及CTIA安全認證。Enevate的HD-Energy技術具有組合屬性,是時尚行動裝置的理想之選,可提供更長的執行時間,支援高耗能的新功能和更薄的產品設計。

關於Enevate(www.enevate.com)
Enevate Corporation是一家先進的可充電能量儲存公司,專注於新一代行動裝置,全球總部位於加州爾灣。相對於傳統的鋰離子電池,Enevate電池及其突破性的HD-Energy技術實現了重大的性能改進。該公司投資人包括Mission Ventures、Draper Fisher Jurvetson、青雲創投(Tsing Capital)、Infinite Potential Technologies、住友商事(Sumitomo Corporation)旗下公司Presidio Ventures以及中電資本管理有限公司(CEC Capital)。Enevate、Enevate標誌和HD-Energy是Enevate Corporation的註冊商標。
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9#
發表於 2014-12-11 12:15:34 | 只看該作者
TowerJazz出席中國積體電路設計業2014年會並介紹其在亞太區的強勁成長
著重介紹TowerJazz 先進電源管理、CIS、SOI 以及SiGe BiCMOS 平台

(20141211 10:31:19)上海,中國--(美國商業資訊)--全球特種製程晶圓代工廠TowerJazz宣布由其中國區總經理秦磊出席12月11-12 日在香港科學園舉行的中國積體電路設計業2014年會,並介紹「TowerJazz,亞太區發展最快的晶圓代工廠 」。同時在展台1F 33-34 介紹晶圓代工技術及全球業務的發展情況。

本次論壇TowerJazz將著重介紹其先進的特種製程以及收購三個日本廠後的擴產情況,合併後的日本廠名為TowerJazz Panasonic Semiconductor Co. (TPSCo)。TowerJazz製程平台包含了射頻前端產品應用,可滿足綠色環保標準的BLDC馬達驅動和工業LED照明產品開發的高整合度700V製程,以及擁有可變尺寸LDMOS的0.18um BCD製程平台,可用於Energy Harvesting、DC-DC converters 和LED背光照明產品開發。另外還有高解析度FSI可用於800M 及以上畫素的CMOS影像感測器。

亞太區銷售副總裁Dani Ashkenazi 表示:「為服務亞太區的龐大市場,我們在過去幾年中持續提高了中國的技術支援能力。另外,透過與三個日本廠的策略合作,有效擴充了產能。我們很高興再次參加ICCAD論壇並進一步展現我們服務於中國乃至整個亞太區的意願。期望與我們的現有客戶及潛在客戶共創新的機會。」
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10#
發表於 2014-12-11 12:15:49 | 只看該作者
Tower半導體有限公司(那斯達克代碼:TSEM,特拉維夫股票代碼:TSEM),全球特種製程晶圓代工的領導者,和旗下獨資美國子公司Jazz半導體、獨資日本子公司TowerJazz,合作經營的品牌名稱TowerJazz。生產的積體電路範圍從1.0到0.13微米。TowerJazz提供業界領先的設計支援工具,使複雜的設計能更快更準確的得以實現;TowerJazz也提供廣泛的客製化製程技術,包括矽鍺(SiGe)、BiCMOS製程、混合訊號和RFCMOS、CMOS影像感測器、電源管理(BCD)和非揮發性記憶體(NVM)以及MEMS。為提供世界一流的客戶服務,TowerJazz在以色列和美國擁有製造工廠,在中國透過與合作夥伴的合作關係,也同樣能提供生產製造。

Tower半導體有限公司(那斯達克代碼:TSEM,特拉維夫股票代碼:TSEM),和旗下獨資美國子公司Jazz半導體、獨資日本子公司TowerJazz,合作經營品牌TowerJazz,是全球特種製程晶圓代工的領導者。TowerJazz生產的積體電路提供了廣泛的客製化製程技術,包括矽鍺(SiGe)、BiCMOS製程、混合訊號和RFCMOS、CMOS影像感測器、電源管理(BCD&700V)和非揮發性記憶體(NVM)以及MEMS。TowerJazz同時為精確快速的設計流程提供世界一流的設計平台。

為了提供客戶多廠的選擇及擴充產能,TowerJazz 分別在以色列經營兩個(150mm & 200mm)製造廠,在美國經營一個(200mm)製造廠,在日本經營四個(200mm & 300mm)製造廠。三個日本廠屬於TowerJazz Panasonic Semiconductor Company (TPSCo)。生產的積體電路範圍包括45nm COMS、65nm CMOS 和65nm\1.12um 技術。 更多詳情請造訪:www.towerjazz.com
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11#
發表於 2015-7-8 06:41:51 | 只看該作者
很多陌生的名詞,只聽過Sub-threshold而已,實在是太孤陋寡聞了!謝謝。
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12#
發表於 2015-7-15 16:56:00 | 只看該作者
想看分析圖~ 謝謝大大分享

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13#
發表於 2016-4-10 11:36:07 | 只看該作者
感謝大大分享
增加不少知事

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