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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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發表於 2010-4-29 13:07:56 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 顯示全部樓層
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% M2 }6 P, j- |+ p- J. k$ \

& S  c: H( C8 ~, w5 j; W' |7 V) Apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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發表於 2010-4-29 13:55:01 | 顯示全部樓層
看你的DUMMY指瞎密
6 d' `5 j, {& h5 {5 C' C/ u大部分是要match1 P# |* m( A  E) M! c
Metal poly  density  不夠  b9 r% Y8 q) e
加ㄉ那些也較 DUMMY
6 @. \( V5 X0 t# d6 k+ @把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 顯示全部樓層
回復 2# motofatfat 4 k8 v' |& O7 x$ c

; Q9 b/ T4 Z( l# p! V1 t. v1 b: a2 y/ h- }6 J; o. i: O
    感謝樓上的大大( B, h8 P& l4 ?  q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 顯示全部樓層
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 顯示全部樓層
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 顯示全部樓層
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 顯示全部樓層
回復 5# vincent_p0593 9 D0 H4 f# P0 ?( E! F' e% @, R  p
$ a  X3 @- Q! a7 M) t: j4 z

5 W! n& b+ b4 m2 q    感謝您回覆的這麼的詳細/ n( U# ^% K- L$ f/ q: P+ }% w
您真強
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 顯示全部樓層
某樓說的很對!!
' b  S# G2 P7 B3 G1 t8 ?  C! W9 V, q6 ?- d; h8 Y
不過簡單來說
- D+ }7 ^6 j* c) y( S7 G. R7 r在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 G4 P! @! J& d, b) a, L而特性就被損壞: T+ N0 J6 `& D6 A. q

) O: X- \: a9 _) f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: C& I. R$ f; k3 O, ~6 M所以蝕刻吃他最多( s( d; Q# a; l
主要部份特性就不會被破壞; {9 I* d7 i% x6 I& x" v; L' B

" _0 m& h# M: M2 @: w" p% }4 e很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ t' Z& i! g" x/ o- R
所以可以多找網路資料也有
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 顯示全部樓層
5楼分析的蛮详细的。。。。。
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 顯示全部樓層
感謝大大的分享( p6 J; [8 |: j, B+ c

# o" W9 t( y# w8 Q: S' {又學到一個知識了!!!
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 顯示全部樓層
op的差動輸入我是一定會加
# S3 o/ W6 y* j6 ?4 N還有電容也要加& R& V  H; {9 m* D: Q+ O* q
若有空間能加的都加也無彷
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 顯示全部樓層
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 顯示全部樓層
thxs for your shows!!!8 \9 v, D5 q' Z/ U1 x4 o

4 f. v) l9 I7 O$ Q- @! k! l- aand i love it!!!
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 顯示全部樓層
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 顯示全部樓層
5#NB!好人啊,讲那么详细!
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 顯示全部樓層
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 j8 F/ |: a& y8 G( }! T/ ^( dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
# X7 V. v, T6 ~# N4 K  j7 r

  H2 d) a5 p% W2 M3 f
6 V) ~, ^3 M& ~3 C    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 顯示全部樓層
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" h) f% L* d2 K
+ y" x% o& f" ?- K
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% _. y) z0 T6 k7 T7 |2 |( X( m- P4 V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 顯示全部樓層
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 顯示全部樓層
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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