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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,. r( Y. x) Y% O7 S# E, m; X8 ~
$ F  F, J7 c3 Q; `7 t, T
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,9 Z2 ?! {( w( K/ T2 m3 N% i/ b, W

* S  W8 Z5 F0 o/ ]! HNMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。! l+ @6 ]$ P' N" _
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6 K/ k' r2 q8 T7 T* {; c( S& g  f
0 ^% n; l# Y) J' f+ I; N, S
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
8 W7 V; `* G, x3 U標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
. D2 ^% z9 u- Q- G- @: q$ e9 v6 v輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
3 m/ l( z% {! W在理想的switch中,輸出訊號正常。
0 g& W- `- w+ y5 h在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。4 |7 Y" y* O+ p0 A8 n* Q
取樣電容大概=400f F左右。
1 Z- ?9 i/ y; z& P$ `4 S# E先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)* ?, C, t. F5 f3 n' K
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 6 }! [8 z" {% g& B: f
7 S) M/ @. X7 y
7 z% k1 _  |7 Z
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
: z. g+ W, w3 M$ S" _& R: X% W, e5 A$ b8 W9 _& b
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖+ \2 [+ i- j& ^3 @  A2 h' S
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
* {* X' M2 r' Q# a4 U5 z所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值
) ]+ V+ h) ?0 B0 A7 z列成一個表
  n4 Y& f4 p" v. B之後看表拿進去套用即可7 z6 T+ q' C! J( d3 o( [4 O
此外此電路SH電容不大9 k" y+ L( M4 W" W2 k7 k
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
. R" o+ M2 B+ ^. [+ R- n; P
) @& y1 C" Z9 W
+ ~7 y3 n) t# R" k, u    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?, Z! w- G3 N8 f/ `4 ^) |! b1 m. b: s
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,# Y3 L1 r" F% A# G9 R
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,9 u/ ?0 g7 C- ]# h& {
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
7 Y( {$ `- g( _% {$ L看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
& d, ~) [+ Y1 K2 z" r# u建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
" R! f; g7 c( ^' A1 a& ~前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,, b; k" j! U+ b8 ^# F* }
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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