sdram控制器的問題

ian77316

板上的各位前輩好..

! c$ A, J- Y6 b1 f  Z我現在在設計一個sdram的控制器，我根據著datasheet去設計。
也把他的流程圖都畫出來了

但是現在有一個問題困擾我很久，我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
  B. o: T: w, O2 N1 L舉個例來說
, J5 F; x+ q4 R4 g5 DHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
* Z- _+ [+ {8 t3 A. E正確的結果應該是讀出(1,2,3,4)，但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
# b5 }, l: L* Z! V四筆讀出的資料都是第一筆，不知道是發生了什麼問題????
% k( X1 H' H5 l% k不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?

6 K6 ?* j7 r- P& e我用的是Elpida（hitachi）生產的SDRAM
$ h' G& f, a- N+ M6 X型號是HM5216165TT10H

  ?+ Y" C4 Z9 _- g* b9 Y+ y( C不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
能否提供給我一點意見去解決，我已經debug一星期了還是毫無頭緒....

0 h* {- h5 R7 Z4 c  g5 O: v$ G謝謝

tommy123

如果可以提供你的程式碼以及模擬片段，這樣比較容易幫你Check。

ian77316

謝謝tommy123前輩，
                 後來我用波型和邏輯分析儀已經找到了錯誤，問題已經解決
' N' X1 B9 f% y% z  O, S) m                 似乎只是command沒有下在正確時間輸入正確
/ k' B# K3 i9 g6 b$ g$ J2 R
                 很謝謝你的熱心幫助