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樓主: fgwh406

版图设计基础培训(很有用)!

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發表於 2015-9-23 21:29:55 | 顯示全部樓層
正在學習的學生路過~
: x5 p7 r' A- S" n
發表於 2015-12-2 13:07:29 | 顯示全部樓層
感謝謝大大希望對我有幫助~~
發表於 2016-3-31 12:51:18 | 顯示全部樓層
想看本內容,謝謝!!4 n5 S9 X3 y6 d% M1 s
!!
8 m/ {. D2 a8 M% C  S5 j% Z( P" c6 F  C+ Z感謝分享~~
發表於 2016-5-20 09:06:11 | 顯示全部樓層
太多太多人(甚至某些论文)将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态:weak inversion(弱反型,或者称亚阈值),moderate inversion(中间反型,部分属于亚阈值)和 strong inversion(强反型,注意名称!这个不叫饱和区)/ F$ v1 I8 l1 `) p% J7 G) H
   这三个工作状态根据Vds的不同,都可存在 线性区,非线性区但未饱和,还有饱和区(不同的Vgs都存在饱和区!只是对Vds的要求不同!): O% A9 g# P7 g) }! Y1 H$ J
    ( t' s0 X; a7 v. a/ U
   如果是要进行低功耗的设计的话,将管子置于亚阈值区是最好的,并且要饱和!亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
0 l$ I* t# ^2 g5 I   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感,因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的,而强反型只是平方相关,如果是速度饱和,那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。
發表於 2016-5-21 00:35:57 | 顯示全部樓層
bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案' I  H9 H( R3 E1 t+ Q
感恩~
$ V+ Q' ~  m! a1 ^6 ?# e" S# ^
發表於 2016-5-23 10:48:19 | 顯示全部樓層
謝謝分享!!
8 x" K2 T7 R5 S' `) s$ @) T% P; U學習中,非常需要~
發表於 2016-5-25 13:13:44 | 顯示全部樓層
剛踏入這行
9 B; n  B7 h/ `/ Z想找些教學資料參考
& s, g/ t' ]7 s1 g7 p謝謝大大分享
發表於 2016-6-30 15:19:06 | 顯示全部樓層
    謝謝分享!參考看看
+ T1 K( S9 v5 j2 n3 C
發表於 2016-8-18 20:35:50 | 顯示全部樓層
謝謝分享3 B( n3 A# v( w( n" e) e) Z
看起來是一份很基礎的講義
發表於 2018-8-3 10:22:46 | 顯示全部樓層
感謝好文章的分享,目前正在尋找一些教材資料。
6 T3 ^. A- M( X4 I! X; O
發表於 2018-8-24 12:16:43 | 顯示全部樓層
感謝大大提供,   正好工作需要用到6 A  ~9 c8 [; S3 ^3 I1 Q
發表於 2018-9-2 08:19:54 | 顯示全部樓層
没有经过系统学习,下来看看。
發表於 2018-9-16 14:17:07 | 顯示全部樓層
感謝大大的分享6 D! E3 q0 i& Z
希望能對我這個菜鳥有幫助0 q; ?8 M- X$ H) H- b5 Y5 ?
發表於 2020-7-31 01:40:37 | 顯示全部樓層
最近在layouy電路 來看看學習
發表於 2020-8-3 11:18:15 | 顯示全部樓層
謝謝樓主提供此教材,很有幫助
$ I8 [  i; q& Y5 |, h* s
發表於 2022-5-14 22:52:07 | 顯示全部樓層
感谢分享,刚入行layout,望大神指点
; ^! d# p- E* {2 \& g+ b9 r" p
發表於 2022-6-14 11:53:07 | 顯示全部樓層
6 |+ w& F9 Q) G/ u4 B# a6 W
謝謝分享,
- P6 J% A8 t/ K* p: n+ V# {4 D研究看看...希望有幫助@@
發表於 2022-7-6 09:52:36 | 顯示全部樓層
交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊
發表於 2023-11-10 01:21:31 | 顯示全部樓層
感謝分享,layout可以再次提升能力
2 ~8 z5 o- K1 s4 O9 ~4 r- F3 q
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