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中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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1#
發表於 2009-7-2 13:39:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
; \6 g0 G0 g- z) D2 J& O& m---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性% x' Z  ?) W: G( a; C& Z" V
! t  o% {' Q/ _* s5 _
一、前言
1 `  f6 y' x2 a# _$ W3 _二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
: c: V5 U2 s5 [三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理) u# b. _* g2 e! y! B2 s# u2 L" v
四、實驗結果與分析推論! r7 M9 M& A8 n) G% S
五、結論
" _$ d7 c- ~- b3 f5 Z" x$ C5 i  ?! G: f3 m# r* Z
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2#
發表於 2015-5-10 15:41:52 | 只看該作者
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
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sbm81tw
3#
發表於 2018-11-28 16:16:09 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享使我們得以成長！3 P' j4 r& P, S' Z: k
0 `5 d( S7 D9 c8 Y1 a+ ?
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4#
發表於 2019-1-26 20:56:41 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
; |5 x' Z1 q0 ~. H' X; ]5 x: y4 z
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5#
發表於 2019-3-13 19:04:46 | 只看該作者
感謝樓主用心的分享，您使我們得以成長！~
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sslin
6#
發表於 2021-6-7 10:28:59 | 只看該作者

4 n2 U! D) I; G- I謝謝大大分享，, t) q: C. @$ Y+ w
5 Q: D- g3 F4 S' v
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響  S4 @0 ~& f7 W9 L  k7 J

1 E4 G8 }9 g+ n3 g5 F先下載 看看7 ]3 t& ^# D; d/ [
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myokd
7#
發表於 2022-11-24 00:28:21 | 只看該作者
謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
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