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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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發表於 2009-4-28 22:58:25 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問各位前輩.
8 w+ r; X5 P" a* i$ O4 n( }SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
* ]( X3 `, V  Y! M: ^/ A6 \然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
5 a$ k% ^  z4 C  `7 r% S, \  I$ E. V: V  R6 v
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
$ e5 o& P3 @; ?# E5 S3 \' x+ R& D& h) n$ v% n
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 顯示全部樓層
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
% n" ]- e0 {% w3 j+ x' y我碰過的例子,也許是大部分的例子。6 p  w; G$ B! ^  t) K5 y7 E
one-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。
6 y4 i8 c5 E3 R, K0 mdual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
7 ~8 h, A5 S  N  m$ l1 j9 Ltwo-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]; ^% T6 T/ E9 F9 Y! m+ I
9 N& V9 S: J" {3 x
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]0 |" E3 D$ h$ t, H0 @
普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大
5 n$ B. j" s, D1 \, _% J可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。  W8 c. Y- n* F6 Q" L  x

7 y& |1 T& v0 `7 \& e& ?Register-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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發表於 2009-9-22 11:48:44 | 顯示全部樓層
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕
$ L; C$ A) \6 a. q, T* T我用Faraday Memaker 產生
) j5 e4 l1 ?3 c3 I5 D
; f& u7 O9 ]' |7 Atwo-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條], J+ \9 Q# c- g  M' _# A
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
! u/ N9 I2 j. M% ]* k7 Y: e  k
有錯請指正~
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 顯示全部樓層

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。# a5 f/ j5 m$ j8 H4 ?" q
register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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