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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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發表於 2008-1-18 17:17:07 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring% ~  T% z% \0 `5 }
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
發表於 2008-7-10 15:21:06 | 顯示全部樓層
在此先簡稱Guard Ring為GR,
& d# j6 L% q+ f! c7 b* @畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp; v; G0 n+ G+ s! c! w0 ]8 e
如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR/ ^$ i% j- f6 x2 n- T
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,
9 e% R5 s6 c' K$ q- z1 [NGR就是metel+cont+diff+np,* _* s9 k, c' d3 ^) v6 D
PGR就是metel+cont+diff+pp,% R: |$ q" h- }" t$ o2 Y
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,
2 S# ^( [  j- E; J* iGR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 顯示全部樓層

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
& ?% U) @: ^* ^0 i" |/ ~7 n再圍上一層不同implant的Guardring4 h+ j+ ~& d) t0 X6 L1 Z0 A
以達到雙重保護的功能* N; P2 d' s0 V1 X

7 Z  ]  `! @2 u8 R/ I2 h. t例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)( ^- S' v! N' ^' `7 H- I8 s3 B
再圍第二圈 就是PGR
4 X1 W1 }9 }( `4 c& Z* u& D
! t1 |- I0 I6 A9 e必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
$ Y' b& Y% O1 {$ Y8 h# ~9 S此圈Guardring必須加上NWELL
6 v: u% I4 G' t) s3 J! d  y- W而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring8 g- O6 q2 @: a6 z! |
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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發表於 2008-7-11 22:48:37 | 顯示全部樓層
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 顯示全部樓層
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring
, p! N4 {& h& k在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用) j% n- O' e. {, u; }! C# V
2 ]$ J$ m, D8 Q( N  x# H3 ~
lxRules(5 n( N% z7 w% f5 y1 Z; P

; h, V: F, j3 c1 f. G: n0 J5 }lxMPPTemplates(; M! K+ R* d% ^4 F: D
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )+ ]) G6 v+ h9 c2 h1 ^
;$ [& c& D# T4 {
; masterPath:
( v9 x$ X5 C3 r5 M1 D, c, }; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
9 W( J3 D% \% N5 [% k[offset]& g: M! t, d4 W7 y6 T' J
; [connectivity])
2 B2 \& l: E& A0 J) q$ a. P;
$ }( `9 J5 {5 g+ E8 O; offsetSubpaths:1 X* y0 O8 g1 Z+ f  _
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]) c, s7 A3 m, @6 D$ B0 `
[endOffset]
. _# h' [& D+ ?8 f% a% _  n2 w9 ?; [connectivity]); P5 ^  t7 R7 |" R) {; F: t; G6 g7 y- l
;- C: u) @! h  e: T+ r" x2 b8 x
; encSubPaths:7 [7 w* C. k- K$ A9 @
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
  m6 O) Y: b! ?; [connectivity])
( V: b3 a1 T* l* }- @/ i;
- C) v' L# x+ I. s9 c; b8 T; M; subRects:
  K8 R8 W/ I1 |! h& X  p1 p; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]4 C: y: m& C5 C* i) J
[space] [begOffset] [endOffset] [gap], k5 X1 u" X; I
; [connectivity])
5 _9 l! a/ ?9 {;, _( F7 ^( ?0 a! H) O
; connectivity:
, r& g) g. x3 a2 t* x1 O$ Z; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]5 |, g2 n: U* v# ~9 W
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
2 I; q% p# @4 k+ v8 j; [refHandle] [offset])) l  A2 w9 x! x2 F6 L
;4 d% i. {# D' E1 H
;( ---------------------------------------------------------------------% L3 T" n) |5 h, l# n
)
+ E5 ~1 w1 n3 f# k! Z% b) s2 e2 i9 }+ O1 z
(PP_RING_ROW_1
. F+ ~9 E& G1 y(("PIMP" "drawing") 0.46)
5 D; A# y1 m& H: V: vnil
; ~( b8 E! Y$ c$ E/ O((("DIFF" "drawing") 0.02)
6 U0 @; ]% M! O( w3 Q3 }" w(("METAL1" "drawing") 0.06)
* |5 u* D# y2 i- e9 k2 V)" ]! U$ s- A; G- w4 k4 n" C0 y! _
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil' G* S8 Y( v  f( d. G/ s, {
0.28 -0.25 -0.25)& _% |' O0 e1 t% C/ l6 \8 G
)
  M5 r8 k. o' b)
) A4 i9 @0 V' s2 p6 }..... any other MPP define..
4 }5 F% K) F; v. [..... ....
' d4 j. Y- ^6 j, w- U* p( h/ q..... ..., C# x  w1 O% e/ z3 K
& _, N. [* Y2 K# x2 w* H% D9 a, w
) ; end MPP
0 e; n$ m2 g; f. ?.... other class
2 Z* s& a: n( `...
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 顯示全部樓層
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,
4 K9 \4 i: ]+ ?0 o+ V" O" `/ b就會有類似laker的auto guardring功能一樣,
. A5 }' ]1 N; h圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用
- H: e5 s. ^0 E,還可以打雙排contact當esd ring。
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 顯示全部樓層

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫: Y+ n' V8 f4 T+ d# B+ Z; F: ?
謝謝
$ ?+ X+ y$ d4 b' a3 u& H. z9 Y+ c, Z+ A8 |~~~~~
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 顯示全部樓層
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 顯示全部樓層
總知 !!
  C0 N7 w& O' sNGR n-diff 就須接最高電位.
: U4 G& E. C9 @- a+ F$ r4 ~PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.$ s* J; D) U+ ]! n7 J  k  a
3 V) G& S2 x+ e) u
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.5 _& b& ]: }- G" L
8 {4 i6 o% h% A/ j$ {
共勉.
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 顯示全部樓層
總知 !!0 `# J, L( s! i
NGR n-diff 就須接最高電位.
* q2 k( U0 i8 U7 ^9 mPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
  W, C3 C. O- T) K# M; N0 }; O/ v: v, t! C8 l
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.% V6 `2 Z2 C. ^. b1 O0 u

- T6 P2 n. M; P$ N* c 共勉.
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 顯示全部樓層
這是我自己定義Multipath用來做guardring; C) \! }' @% G, s, @
直接LAOD就可以用了4 D/ n+ u  H+ a7 n+ ~
DIFF
& s# P( D4 Y$ o# aPIMP) W$ m" |1 l; D* s7 s5 @6 k
METAL1
% M: D+ O$ `9 L; V, e  e* cCONT
7 M. t) W* ?# _9 A/ }6 ZLAYER請設定成以上名稱0 Y( g% K3 P$ ^  Q6 Y( \4 G

* w& h4 P4 l7 k. h[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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發表於 2008-10-15 15:04:54 | 顯示全部樓層
直接修改techfile?
5 Z% K3 ^2 p: U2 Fload后如何操作?5 _* I5 R" q" d
谢谢了
# ^' p* j* ]/ B0 L! i4 i2 N这样限制字符,有点不太好
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 顯示全部樓層
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 顯示全部樓層
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 顯示全部樓層
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。+ Q' Z' E6 F' E  P- ^
2 {7 S: w* w" X
想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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發表於 2011-9-15 14:24:58 | 顯示全部樓層
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 顯示全部樓層
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 顯示全部樓層
謝謝前輩們的精闢解說!!!
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 顯示全部樓層
回復 15# smilodon
( s5 n2 _; `, r; `0 K) k/ d) x7 M, t
碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。
' b- B. ?5 G/ M非常感謝,請指教~
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 顯示全部樓層
guardring是很重要的( f% n7 w+ x4 g9 A9 b; I
不能亂接
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