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標題: 關於CMOS的正負Tc [打印本頁]
作者: relax918    時間: 2007-9-3 04:09 PM
標題: 關於CMOS的正負Tc
想請問各位較了解Bandgap reference 的大大( u) e" u7 P9 H8 F
之前我有下一顆BGR
9 a' X- o0 \# B所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償- W! |) c; q& @* W* e! ?% \
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
. _5 W" b7 {0 H0 Z2 r# k: B1 EBJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
( z! X, s% _8 {2 c8 \8 H因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
# S+ c$ ]- m$ [- z6 g
' g1 W- T4 p% B8 e所以想請問一下大大~  / G( y9 X3 }, j% W
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
/ C, M& N- B% s. A: n' Q# v這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?8 w8 ]% y/ Y& k, Y# e
! m) {* T0 }3 L6 ^' ~- I
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
4 t) w( \+ `$ V7 ~% Z/ z! Cbandgap voltage reference? - n9 h8 ]' {* D5 N+ @. g+ A
bandgap voltage reference?
$ W' `8 l4 P6 @* ]: H# ?0 G# B& S7 \如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
- [( R4 ], }' k( T9 RBandgap 如何做到好的line regulation?   ~! Q* P; L0 [7 `8 o
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
! u) J* t4 Z4 {- Abandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成) ( k5 i( {( }  v2 m: \( }# i
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
' Y* G" i. p) o- }2 b( u% t' s- P9 V
( m" f, F% k; `+ ]5 q2 Y
  ~# p) {* p% n  C" I4 T- T# g( j( q, u+ f( e
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]
作者: ywliaob    時間: 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　* B0 B  Z4 y5 Z, e/ w, K+ P
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧; v7 p5 {; S  Z; T
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
: U) j% _; T% M  X( v但是我不是很確定喔
作者: li202    時間: 2007-9-19 05:11 PM
NMOS的G接地====>那就關起來了$ q3 A8 @# [: B! Q0 }+ D
應該是接成MOS diode的型態
. e7 t) i/ {/ [" _7 |6 z5 c6 q6 B$ ~; n. T3 r
re:relax918 6 a2 T0 B( o8 y
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑
作者: Oo海闊天空oO    時間: 2007-10-1 05:36 PM
"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
  I6 }# z" g7 C( K: u$ X這種架構就類似於Diode-connected Transistor" g" z9 O0 e2 E! P; x" W
二極體接法形式的電晶體
5 u$ Q; }8 C- j! _! L: w+ Y5 T+ H這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
) R5 v4 x: Y6 |7 W+ y2 J但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
2 ?' k: p, t) j' n) Z* z+ u* [公式的表示方法也不一樣
; U* o- O( H5 F3 g, ]操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
0 e" A+ A' ~5 e8 U9 @6 m; E3 C( r% O, H+ p( P8 _  ]( R; M
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起" L) B: ?( U* `. w
利用P-N junction的特性而已9 p) \/ y# m! @$ G6 x( J5 [3 c( R

) y9 @  i& {: W4 ~所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction# U" ^4 A0 H5 W4 {! G
應該也會跟BJT做出來的有類似的效果& i9 b- r! q! A1 [
2 n1 `, }  z! |8 p
但是何者較穩定就不保證了  t/ c9 ?: [( _2 X' D& g  g

! h, q  p( h8 p5 d$ U6 d+ R7 y因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference7 Y$ j! L: {$ }* k" x) g
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT
作者: luyan923    時間: 2008-9-1 04:00 PM
一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。
作者: engineer    時間: 2016-5-15 10:00 AM
為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？
作者: JUI    時間: 2023-11-3 01:57 AM
ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
3 ^) V5 A# l+ `2 o2 iNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
' f( K+ [0 L4 d) f+ v應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧, R% r. z6 W( J/ P/ r
假如G端也接地的話  ...

! k% L; [8 N3 O9 {' m2 g: f感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
7 O) @/ y/ i$ k/ i! C



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