原帖由 m851055 於 2007-9-3 08:09 PM 發表
1.在LAYOUT時..直接用Metal2跨越一顆MOS上的每一層..(包含Poly, diff)
會有什麼影響?? v1 {7 e; }4 b
, G2 i+ U9 s( g0 i
-->在RF及analog時才須特別注意,一般CMOS差異極小。
2.在畫GUARD RING時,有P跟N的畫法...( d2 g7 ?! }/ T" E8 `$ p
-->PMOS N-rin ...
原帖由 skeepy 於 2007-9-3 03:38 PM 發表 - D$ [* y, n+ i2 i! _
3.
8:1或是24:1是比較通用的畫法,也沒聽過會有什麼樣的問題發生,會有問題發生要看九宮格內的nw是劃成一大塊或是分成九塊.
原帖由 blueskyinair 於 2007-9-4 01:49 AM 發表
! n. [& i: U' g! l- q% @+ o
請問一下nw是劃成一大塊或是分成九塊會有什麼問題發生?
一般nw是劃成一大塊或是分成九塊呢?& C( [( u6 d. }/ F
優缺點為何?
謝謝
原帖由 finster 於 2007-9-4 10:09 PM 發表
依照bandgap circuit的理論推導,所需的BJT顆數是9顆為最佳的理論基礎,而9顆的BJT的畫法之中,以正方法為最佳的畫法,故而在bandgap電路中才會有九宮格的畫法之說,所以,很多教科書並沒有提及為何bandgap電路的layout畫法中,BJT要畫成正方形,只交待要畫成正方形(九宮格)是最佳的,那是因為它省略了理論推導的緣故...
原帖由 blueskyinair 於 2007-9-5 02:27 PM 發表 ' Q) W% @% P' m3 {( t4 ~
; D6 Y" y& b1 A/ Q
根據教課書的推導
Vref=A1*Vbe+A2*VT*lnN
dVbe/dT=-1.5mV/K
dVT/dT=0.087mV/K1 ]- G$ v3 y8 n
假設Vref與T無關,且A1=1( w* i. L& o0 k6 C4 ~ S
推得A2*lnN=17.2
其中並沒有說9顆BJT為最佳,甚至教課書中以31顆做為範例/ g# E) J0 {9 `0 ]2 G4 H
請問f大是在哪裡看到" ...
原帖由 blueskyinair 於 2007-9-5 02:27 PM 發表
- I* t; V X& [+ Z! Z
根據教課書的推導" ?, Q( _7 D+ w
Vref=A1*Vbe+A2*VT*lnN# S$ ~( r- ^1 G8 I) V
dVbe/dT=-1.5mV/K9 Z; ]6 ?+ R6 ^
dVT/dT=0.087mV/K
假設Vref與T無關,且A1=1# B2 D( u8 |* R4 V5 T
推得A2*lnN=17.22 v4 F' U" B& H' P$ l3 e- j# i
其中並沒有說9顆BJT為最佳,甚至教課書中以31顆做為範例
請問f大是在哪裡看到" ...
原帖由 finster 於 2007-9-6 10:31 PM 發表 ; M4 U- L* p' ?/ L. Y7 L
我是在一篇paper中看到的,不過這篇paper不知被我放在那裡了7 I X9 @* j; V2 |7 r2 J
另外,你所引用的教課書的公式應是Razavi那本"Design of Analog CMOS Integrated Circuits"中第13章的吧
書上是先決定BJT的顆數比,然後再求出相對應的電阻比例值,同時書上並沒有說明何者為最佳值
我記得我看過的那篇paper是針對如何從現有的公式中,利用統計的數學運算式來決定出最佳化的bandgap電路
其中有提到BJT的比例值為8:1,且BJT的size為emitter area=10*10um^2可得到最佳的溫度係數+ N1 u1 s. D; g
然後依照這個比例值,再去決定相對應的電阻值,可設計出跟溫度幾近完全無關的bandgap voltage2 V2 a% L7 |% j4 h' x# M4 ?8 \
所以,我看過不少其他家公司所設計的bandgap circuit,BJT的比例值為8:1,且size幾乎都是emitter area=10*10um^2,較少看到其他不同size的BJT
原帖由 blueskyinair 於 2007-9-7 12:25 AM 發表
) j) K& w+ I! F% U
謝謝你的資訊,我再搜尋一下IEEE看看能不能找到你所說的這篇PAPER! Q4 i! L: A p! V6 m) T
使用SIZE較大的BJT,個人認為是考慮到蝕刻或離子佈植時,SIZE越大,對整體的影響程度越小,與模擬結果越能相近" F1 u" x* v7 q- T D/ r7 m
但請問3 M' \0 Y) T: f- L9 i; v, B# W
1.在layout時,是否都會 ...
原帖由 finster 於 2007-9-7 07:43 AM 發表 / L# {$ X/ v. b H A& j
我不確定現在TSMC或者UMC或者其他製程廠目前是否有提供BJT的 layout的Standard cell- |# t B8 f. L8 A
不過,就我個人的了解以及在作HSPICE simulation時所知,製程廠會提供各種標準size的BJT layout guide line和相對應的BJT SPI ...
原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表
至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有) ?0 D# o. {9 o% E7 i `
8 ~( H: \; O: J
再回答一下問題
在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了, s" S2 o$ F% ]+ T: r, J
再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧
) E- G' T5 ?" x5 J& j# N
最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的4 j5 N0 @$ V' ] k# T/ E% ?
原帖由 finster 於 2007-9-6 10:31 PM 發表
我是在一篇paper中看到的,不過這篇paper不知被我放在那裡了9 Z, p" ^, H& a+ s7 X
另外,你所引用的教課書的公式應是Razavi那本"Design of Analog CMOS Integrated Circuits"中第13章的吧. n$ [) }: i1 e
書上是先決定BJT的顆數比,然後再求出相對應的電阻 ...
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