+ V O7 k& G7 w: l% zUSB-IF董事長暨主席Jeff Ravencraft表示:「由於高速傳輸的需求與日俱增,市場對於SuperSpeed USB的期待也愈趨殷切。我們很高興智原科技能在這麼短的時間內推出USB 3.0 PHY。也相信透過智原的方案,將更加速SuperSpeed USB的產品問世。」 ) v" ^, X# l3 i+ t! d/ J ' C5 }9 ]& W+ e* g" g' t為了在功率與晶圓尺寸間取得規格平衡,智原科技對PHY架構做了一些精密的改良,其中包括全新的接收等化器補償線路,以彌補纜線及線路板銅線造成的資料耗損。此外,其它新式的架構還包括時脈資料還原和發射器等,使眼圖(eye diagram)在各種狀況下均能符合規格。 5 W) {% f! g4 T1 P ' t- n6 p7 s H [6 z, ~活動訊息:* G6 F0 O7 O8 c% W6 i( | [, E
智原科技將於SuperSpeed USB DevCon,首次揭櫫USB 3.0 完整解決方案, - i$ _2 \( ] s _- Y$ u1 V 8 l5 y% N# S8 a; G* i秀展: USB DevCon: 2009/5/20-5/21 (日本東京) % J' p/ M4 o' V! w' x% C參展項目: 5 w; |/ g1 q: l0 |3 O- Host端: PC上的USB3.0-PCIe2 j) C6 I$ V! m# w
- Device端: SSD開發平台以及USB3.0-SATA 橋接晶片作者: heavy91 時間: 2009-5-21 09:50 AM 睿思科技Fresco Logic推出世界第一個PCI Express to USB 3.0 主端控制器晶片: R% u+ k. A, M7 c4 G& s- c
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擁有尖端技術的超高速USB 3.0 IC設計公司,美商睿思科技(Fresco Logic),在5/20於日本東京的超高速USB開發會議(5/20-21, Super Speed USB Developers Conference),推出業界首個符合超高速USB rev 0.95標準的PCI Express to USB3.0主端控制晶片,並在會議現場實機展示PCI Express ExpressCard 和PCI Express Add-in 卡的應用,正式開啟USB 3.0應用大門。 [1 q$ M) s9 C# \: J
, S& I) W, \7 Q( A睿思科技展示的重點,在強調睿思科技領先業界提出的解決方案,能讓超高超速USB 3.0與現有廣泛USB應用完美且簡易銜接,在不改變原本架構上,即可享用即時且便利的超高速傳輸速度與USB3.0多項效能。包括外接式硬碟、固態硬碟、高解析度影音設備內容、及各項行動裝置等迫切需要高速傳輸解決方案的應用,都可受益於睿思科技最新傳輸技術與現有設備的整合解決方案,擴展未來影音及大檔案儲存、傳輸與內容市場的應用利多。此次展示串接電腦及外接式硬碟,雙向傳輸高畫質影音及大檔案,實現消費者實際使用情境,體驗USB3.0雙向傳輸的極速效能。0 C) b. J; M2 E, A" {7 D* a
1 J/ T3 s. U, n5 |' r9 A% P睿思科技的策略合作夥伴,智原科技總經理林孝平強調:「很高興我們此次能在這麼短的時間裡讓睿思科技採用智原科技的PHY,成功的推出世界第一颗USB3.0主端控制晶片。我們對於USB3.0的市場很樂觀,這次整合的經驗,讓我們對市場的未來更具信心。我們將持續與睿思科技密切合作,提供USB3.0產業鏈完整解決方案。」6 [1 K" |- B4 d9 k [! e
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USB-IF主席傑夫.羅文夫(Jeff Ravencraft),特別強調:「睿思科技推出的USB3.0單晶片,締造了超高速USB產業的一大關鍵里程碑。我們對於睿思科技能在去年11月公布USB3.0規格後,短短六個月內即推出USB3.0 xHCI主端控制單晶片的成果非常滿意。」! v- Q2 d( c! w( C+ S, @
& T0 `, B- G3 k6 v對此,睿思科技總經理張勁帆補充:「今日展示業界首顆USB3.0主端控制單晶片,是睿思科技持續對USB3.0產業的貢獻之一。此次能在如此短的時間內推出USB3.0主端控制單晶片,歸功於睿思科技與智原科技策略夥伴關係,及智原在USB3.0 PHY的成熟技術。我們推出的主端控制晶片提供了USB3.0產業鏈一個關鍵元件,並大幅加速其他USB3.0相關產品的上市及普及。」( W* K0 g @& v _7 p5 e2 e
欲了解更多美商睿思科技在USB3.0的解決方案,歡迎您來訪6/2-6/6 Computex於台北南港世貿展館攤位號碼K516,亦歡迎參加6/3於台北國際會議中心102會議室Computex論壇,將由睿思科技CTO 馬克威(Bob McVay)親自演說的USB3.0技術與趨勢講題,或上網www.frescologic.com了解更多詳情。8 ^$ y# Q1 ~, h3 W& o( g
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[ 本帖最後由 heavy91 於 2009-5-21 09:53 AM 編輯 ]作者: chip123 時間: 2009-7-14 05:23 PM 標題: 智原推出低漏電記憶體,減少90%漏電量 【台灣 新竹】2009年7月14日 $ y; i, e+ l' Y. ?: W
/ Y, A& X& A0 Z9 m" v$ j0 e3 U" nASIC 設計服務暨 IP 研發銷售領導廠商 ─智原科技(Faraday Technology, TAIEX: 3035)今天發表適用於聯電90奈米製程的低漏電記憶體解決方案。相較於一般記憶體,智原的方案不但最高可以降低90%以上的漏電率,更得以讓客戶的晶片面積有效的限縮到更理想的範圍,一併滿足了現今客戶對於耗電以及面積兩大議題的需求。智原的低漏電記憶體已通過完整的矽驗證,並開始供應給IC設計公司、晶圓廠、系統廠及IDM等客戶。9 E s. R e' U1 ^
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隨著先進製程的發展,記憶體在晶片內所佔面積隨之增加,也更加地擴大與突顯出記憶體對於晶片面積和電源消耗的可能影響。而智原推出的低漏電記憶體除了在待機模式可減少25%的功率漏損,並透過在單元陣列(Cell array)和週邊(peripheral)配置兩組嵌入式HVT功率選通MOS的設計,讓晶片得以在保留(retention)與休眠(sleep)模式下,分別可降低50%及99%的功率漏損。而由於新增的HVT功率MOS是填充在記憶體的空隙中,所以對於晶片面積沒有造成任何的影響(penalty)。& x& [# o/ `. e5 ^/ b# F2 _% q