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標題: 中國3G技術新突破 自主知產射頻晶片誕生 [打印本頁]
作者: chip123    時間: 2006-10-23 09:16 PM
標題: 中國3G技術新突破 自主知產射頻晶片誕生
中國3G技術新突破 自主知產射頻晶片誕生 2006年10月23日6:12 4 J' s# t3 m7 Q4 N& A0 q0 g
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5 b! Y9 V5 x* ?- ~; }　　東方網10月23日消息：明年3G牌照發放前，完全擁有“中國芯”的新一代手機可望誕生。記者昨天從上海銳迪科微電子（RDA）公司獲悉，其在國內獨立開發並擁有自主知識產權的第三代移動通信TD－SCDMA終端射頻晶片研製成功，目前應用該款晶片的手機製造和調試進展順利。 4 B' k4 x  E) p* e

1 _. a" |) ^% x. {6 T7 K( i　　TD-SCDMA是由我國自主研製的3G國際標準，其兩大核心技術便是射頻晶片與基帶晶片。目前，展訊、大唐等國內公司已成功推出基帶晶片樣片，但在射頻晶片方面除個別國外廠商外，尚無國內企業可提供商業化樣片，成為國產3G手機產業鏈亟待突破的一個瓶頸。
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　　據悉，新研製的射頻晶片已在上海中芯國際和展訊公司分別完成工程樣片流片和基帶廠商測試。它採用世界上最先進的數位和模擬混合信號CMOS半導體技術，也是全球首顆基於CMOS的TD-SCDMA射頻單芯，填補了國內空白，可替代國外產品。其射頻收發器方案可在2010－2025MHz頻段和1880－1920MHz頻段之間自由切換，形成TD和GSM的雙模形式。



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