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標題: bandgap無法將壓差降低 [打印本頁]

作者: layoutarthur824    時間: 2009-1-12 03:12 AM
標題: bandgap無法將壓差降低
近日在調bandgap2 a' o! r% |5 p0 m
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高8 |) V0 y0 J' N; |; e1 u- L
.35製程
3 r! G0 G9 ~1 O  S$ P7 M- j& ]op db651 h) u7 B7 k- u8 \1 T
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
3 X% D1 S7 Y/ D; m0 I不知是OP還是帶差出了問題??
1 i+ O# c6 P' \- S請各位大大幫忙. d. k) D& J; b6 p3 ]) s

% N' M6 y$ ?  @/ Y9 c* {5 K* C# p2 O2 C0 z. y
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
9 k: [: |3 w" W( p/ dbandgap voltage reference?
' i) _0 \8 X0 Z' sbandgap voltage reference?
6 t; }* t+ n9 @4 H- h7 q關於CMOS的正負Tc # H: v) a6 p0 v# l' L4 _
如何在CMOS process 中做好溫度感應器? & M5 Z# ~9 L. }
請問有關 bandgap 內 op的 spec ...., q" {8 F: V9 y1 P# [
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
  w# `: y) O; Q) n  Y* J* e" f) ^1 JBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作 3 @  I' }$ }% P+ W( |' A

* u( O. {" u4 c1 X
3 Z+ ?0 c2 x7 d; v" a3 M2 D$ x0 @
$ M- `: h& q& V+ Y8 {% u
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]
作者: gimayon    時間: 2009-1-12 11:33 AM
如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
) T- ~7 Y& j% }/ c似乎提共正溫度參數電阻不夠
' R  V1 T) [3 x+ J' C5 D3 O至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的# D$ _, K3 U. d1 D0 Q
2 i8 H0 w+ K7 ]; Y& d. X
如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)
作者: layoutarthur824    時間: 2009-1-13 03:59 PM
標題: 回復 2# 的帖子
回復gimayon大大) J  v/ V$ s9 ?! n- ]' `% Y
我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
3 C+ `+ h$ Q( Q. l  c9 t4 XOP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
4 h  B3 a# p/ O; N. s4 |這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
, L4 ?$ V9 g5 k我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你
作者: gimayon    時間: 2009-1-13 06:13 PM
我所謂的一般是指 vref = 1.25
6 T3 k- B$ _' c) v; N/ K4 N7 ^- ^  F. J4 s
你還是秀圖吧~~- `; Y# L% S. |) e. C

$ m* F2 s5 p4 x7 y$ Rmos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref
作者: layoutarthur824    時間: 2009-1-14 03:15 PM
TWO STAGE OP:! R/ M$ _( a( @' l
[attach]6265[/attach]" V2 L  _& [2 p( M2 W" S
帶差:# D; p1 n* [& b6 g8 ], y. ?
[attach]6263[/attach]
, R- `& Q5 n! l2 A) R3 P大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
& W9 @8 ]/ Z( r$ p確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)5 w/ m9 ~7 P1 W: D1 z! G
[attach]6264[/attach]. \5 \, E# @5 O
但是我的OP增益卻下降到很低3 |" d+ U. C& I! k0 Q* Q
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠8 l2 o7 X  V/ H% q/ g
請問大大:2 U0 v# ]# r- v8 _6 u$ ~9 P9 i
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
; n0 i% l" ~( b* R8 H, N/ B; h* y2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
7 Z( Y. M$ g' V/ W' a5 A3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
0 V. P4 U1 I1 [" c7 n現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
0 t" E: l. p$ W8 a' z6 v
: j: O+ C3 i" m% G# B+ {[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]
作者: gimayon    時間: 2009-1-15 12:34 AM
你這是什麼鬼電路?
- ~- Y  {+ ?) B$ y9 _& k& j% L& e1 B4 y/ h; [( w: O. x' S
下圖左半部是幹啥用的? start-up?. x0 _+ a* f- D: J8 R

/ R6 V$ y, g+ H. L如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
% [' J" \: b% C0 V: s: K' W
% y, z1 t( {* k0 x1 b+ I1 Z0 |! @3 {4 T如果不是...還請指教是幹啥的...6 n; O. ?* l& f! G9 V5 d# o
$ q$ Y6 p6 S7 v. i. ]" E' k' z
你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧
作者: finster    時間: 2009-1-15 09:59 AM
1. 建議你先把start-up電路拿掉- i. y* n' W2 p7 z+ t
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點; |' w% W3 r( w) O) z( g
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了9 g" h9 l+ ^5 A2 ^; }
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?4 f+ R9 p2 t- i
5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?
作者: layoutarthur824    時間: 2009-1-15 04:36 PM
回gimayon大大
% T- `* @  t9 y: K" w  L' `下圖左半部是 start-up
. L' h5 @5 t/ u; l. w) U, D正常工作時可以使我的MS3在截止" Q, u; @3 K6 {
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??% L2 k% h. ?4 D# F, q
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
5 ~" O8 x# E. ^0 v主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?/ e5 Z) h. w' M* V4 g$ C) C( ^+ M0 @
因為不少人也是用這種電路當bias的
$ T* X. \3 ^4 q7 P% B1 p" T7 N4 q' F) s- R2 M
回finster大大4 r# E) ?2 K4 m2 z6 }
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V) ^5 n$ a' M& t6 E" E
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)6 t  g6 E/ Q$ |& c5 b
[attach]6279[/attach]
! ~6 W6 Z( j( ]. }/ n我的bjt顆數比為8:1
5 b( S0 x+ @( K3 y7 B7 B我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了+ ]0 Z5 _2 W+ x4 v) x; V
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u% \7 h! e* _1 ?

% T7 T, j! O# Z- U8 C! t9 c[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]
作者: gimayon    時間: 2009-1-15 06:42 PM
通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
+ q1 j* ]2 b; K, _3 u- d# a4 K3 y. p/ ]
根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
  v; ^0 X6 a* G# @9 z' z5 E/ H; y7 s$ ]' d# u0 @
此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定
9 v2 v/ w0 G8 q  g' y3 B" K' S/ Q0 j) b) {/ I/ ^" {9 H" K
所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP ( \+ B  k) y2 Z5 i$ J5 V
* z3 w. h6 G4 p- A
因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差# j. k% G7 [3 \  o  ^6 j& G

; \. t% ?% v2 f! G( h  b, v加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG) K. D2 i/ T( N+ e% j8 X$ F

% l7 Q/ C6 \& T' N也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端% s( U7 w' |0 k; c7 a, D$ n( I) B3 m6 g7 c
  d: h7 r- G3 b& `4 W/ J$ c
BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫5 ~: p: J' O. \* ^
1 y+ i* Z+ X4 Y3 j
建議你看看 MS3 的流過電流對溫度       K" d7 @4 t% `6 N3 ~7 L* |+ c

6 J! D1 G8 u% g+ D1 ?.PROBE I(M*)
作者: layoutarthur824    時間: 2009-1-16 07:16 PM
謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了9 L2 I3 ?; `- c) T
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
6 U  ?2 e) ^& R, A; h我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西
作者: JUI    時間: 2023-11-3 01:58 AM
謝謝大大無私的分享,感恩. H! @1 f/ h( V3 }" l% Z+ K( x





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