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標題: 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？ [打印本頁]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-24 03:16 PM
標題: 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
+ E9 P- I% t. b3 {9 _% M3 D就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
9 P5 E: X& t1 t- W有純MOS的ESD嗎？？& `( L9 D  h- X- `$ N( o
設計上有何重要的技巧？？+ a9 y' V' F6 c0 ]' ?
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？1 z0 T7 {) \6 ~0 c# ~
請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-24 10:48 PM
很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-24 11:14 PM
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
" M0 P  |  L- O+ M' a好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！
3 O- I: V9 N3 vESD设计时要考虑 contect to gate space！！！
作者: hyseresis    時間: 2008-11-25 09:19 AM
標題: 回復 3# 的帖子
感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
+ i+ K. `0 f) R/ T8 Q5 T感謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-25 01:58 PM
標題: 回復 4# 的帖子
一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！
作者: andyjackcao    時間: 2008-12-2 09:41 PM
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
; h5 C$ c5 b- s0 S6 R/ {6 c$ H請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
6 G) \# \0 V+ L8 l就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？% X& u4 {9 v8 u+ G5 R$ M" c. T
5 ?% z2 t  K4 z: @  P% t, O
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？; v( \  b3 D8 B) T8 o7 o+ d
請高手幫 ...

: ?! K9 b" J3 Q7 e4 Y8 K, E6 V1 B9 D
我是这样理解的' x6 K" }9 g6 _4 m3 g: e
contact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；$ Z( u- S6 j/ ^& {% D
会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果4 t7 O2 h7 E  [9 \4 E1 p/ [4 S. o
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠
作者: jian1712    時間: 2008-12-11 12:01 PM
contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um
作者: wph123    時間: 2009-3-24 01:50 AM
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
作者: ritafung    時間: 2009-3-25 10:41 AM
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
; y: |5 G* L: V# @但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
作者: werx    時間: 2009-7-26 09:54 PM
標題: 小弟才淺
通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題6 j8 k1 o( [8 _: p' ^" h
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗8 u& r1 P( r) e
至於con to con的意義呢？' V/ c4 h% T& p+ F5 V7 Z
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
8 P/ U/ Y$ u1 Y因為ESD電流來時又大又快
5 Y# C# s% Y! iCON越多路徑阻值越小一點9 H2 X, A4 `2 N4 `! `% m6 i
所以CON TO CON通常取MIN.8 t# n3 }- B5 c- M3 W# L) N
: r3 \9 g; s# z) B( M
小弟才淺
作者: semico_ljj    時間: 2009-7-27 08:46 AM
“所以CON TO CON通常取MIN”，right！
作者: averyer    時間: 2010-5-27 10:58 AM
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
作者: finster    時間: 2010-5-29 08:24 PM
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看6 j; Q. `  a8 w$ k" |$ N# c
而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 01:18 PM
说的好
9 j% C8 ~! M! v! Q% H$ \
# P/ h# O2 N$ Y7 ^* N# Y" F7 _9 `0 H/ {1 B" ~' S) j% v
！！！！！！！
作者: wangdali163    時間: 2013-8-16 03:53 PM
poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。



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