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標題: 陶瓷電容怎樣分析 [打印本頁]

作者: chenchange    時間: 2008-11-10 03:30 PM
標題: 陶瓷電容怎樣分析
最近在量測陶瓷電容發現很大的問題,原本查出原因是電容只有1M ohm,但是點久了會回覆10M ohm 後產品就正常了,加焊電容也會恢復,但是用x-ray 看又看不到有錫絲殘留,用三用電表量測幾次也會恢復,拆開電容重新焊也會回復,是否是電容內有何問題?要怎樣機台量測維持原狀電容不要讓她回復10M ohm 又可以找到原因,不知到哪位大大對於電容精通,可以幫忙一下,感恩感恩
作者: cuban487    時間: 2009-3-10 10:31 PM
你好我以維修電路板的經驗來分享
* Y7 M1 z; q4 n" j$ N9 V之前有遇過電阻用電錶電容表良都正常9 o" H4 O& x, {( e
但在板上運用在濾波上功能就無法正常/ r9 z- {2 `  z& |9 H4 B
後來是用一總VI分析儀找出好壞電容的差異
# P7 @2 h- q* }不知道對你是否有幫助
4 @5 ]. R" L: h9 N& C6 ~8 C; rcuban@pic.com.tw
作者: kwfy    時間: 2009-4-22 02:24 PM
通常絕綠阻抗有問題,絕大多數是本體有crack
. l7 x! d, q& |& N/ q. q; D可以試試用X光機看一下是不是內部有受損
作者: chenchange    時間: 2009-4-22 06:38 PM
總於可以解決了,陶瓷電容因為裡面層次非常密,使用X-ray 無法分析,除非使用高阻計量測,量測IR 特性,如5 H0 H( [  k2 P' Q9 _- |; X. P
設備:HP 4339(HP是品牌惠普,後面是型號)
: c0 `* o; ^7 l: J( _測試方法:以一倍額定電壓(10V)充電60秒量測, V' K+ Z: `' {: L7 q0 M4 |

+ B/ u* N+ s* }# F4 d$ t1 ^, W可以量測,並且當初用Thermal shock 沒有多大作用,但是改用 HAST  or pcT test8 z# d' C5 w) r8 h( U6 N1 U
水汽進入IC封裝的途徑:
( y* J( B+ |/ V1.IC晶片和引線框架及SMT時用的銀漿所吸收的水0 D8 ^. F- w8 g9 l( h4 B
2.塑封料中吸收的水分
" u3 L0 d* j+ X* r! V9 O* }3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響;
. g8 ~6 I- b8 X. _3 y: h$ T' ?4.包封後的器件,水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進去,因為塑膠與引線框架之間只有機械性的結合,所以在引線框架之間難免出現小的空隙。7 ]* }5 p3 u* G
備註:只要封膠之間空隙大於3.4*10^-10m以上,水分子就可穿越封膠的防護) s: R) |8 I8 e
備註:氣密封裝對於水汽不敏感,一般不採用加速溫濕度試驗來評價其可靠性,而是測定其氣密性、內部水汽含量等。
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  @4 v% m( r/ h+ l5 \說明:PCT試驗一般稱為壓力鍋蒸煮試驗或是飽和蒸汽試驗,最主要是將待測品置於嚴苛之溫度、飽和濕度(100%R.H.)[飽和水蒸氣]及壓力環境下測試,測試代測品耐高濕能力,針對印刷線路板(PCB&FPC),用來進行材料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗..等試驗目的,如果待測品是半導體的話,則用來測試半導體封裝之抗濕氣能力,待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。
, C# {. A; V# K2 |% A9 ?4 P: k+ X目前測試有兩種.一種為飽和蒸汽.既測試條件為121度,箱內壓力為2.04個標準大氣壓.其內部濕度在一般能保證在100%.測試時間分48H和96H兩種.主要應用於LCD和被動元件等封裝元件.
; o# w) I; v5 F! I# @另外一種為非飽和蒸汽.即在溫度高於100度時,箱體內濕度可以在70%-100%可以調節控制.此設備架構比較緊密,價格相對來說比較高.目前市場上好像日本的TABAYI,和德國的可以做.國內有這樣的設備廠家也為數不多!
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飽和蒸汽測試應符合:GB2423-2-1-89 、 GB2423-3-2-89 ( l. T4 H) x$ o3 a8 V7 ?( z

+ u' ^* y' I6 ^不飽和蒸汽測試應符合:IEC-60068-2-66




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