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標題: Sansen讀書會... [打印本頁]

作者: 賴永諭    時間: 2008-11-10 03:11 PM
標題: Sansen讀書會...
剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...& o$ [, T( {! J5 m
Slide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S) 7 T' F( `3 o2 R- J' G8 {4 u0 f/ t
Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
/ S; e+ a& `( n  i. n 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀
作者: lynker    時間: 2008-11-11 01:37 PM
我看的是中文版的,摟主看的是英文的還是中文的?
, k7 B$ i4 z3 S& G' @$ R: F�面是有些錯誤,我也剛看完第一章,還好基本上都是字母的錯誤還是可以容忍的。
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-11 04:41 PM
我是看英文的...2 G( x$ m- b5 K7 [# @) a& q3 m" K
因為有些式子或許字母打錯..7 x3 {3 [1 B2 K0 O2 _
所以讀起來就卡卡的哩...., E/ }" J6 \$ T1 Q" J( O
Slide 0148: 我覺得transition voltage式子好像應該是
; t/ x0 o! H: G8 |: d( |(VGS-VT)vs=1/2theta
( L0 S; w% h: `2 h5 H( E- V不知道你的看法是???
/ ~2 b) z0 Y7 G. I7 j: IThanks!!
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 10:28 AM
標題: Sansen讀書會
Sansen這一本新書有中文的嗎????(藍皮封面). W- q! Q+ H$ X/ a6 ]& k
Slide 0129->我覺得是沒錯
8 P+ I; i( R) vBluck 接地時應該是D->S- Q2 z( b4 f2 Y8 l
如果Vbs>0, 電流應該是由S->D3 U- m; C3 q4 `5 V/ D5 J
Slide 0134&0136->我要在看一下
作者: lynker    時間: 2008-11-12 11:57 AM
標題: 回復 3# 的帖子
確實是1/2theta,估計是計算VGS-VT的時候少算了一個1/2,你看書好認真啊。6 m) c# e. B' ]) T+ Z
: n. z2 w7 m5 i  j
[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-12 12:01 PM 編輯 ]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 12:44 PM
標題: 回復 5# 的帖子
>_<...沒想到真的有中文版,我真是孤陋寡聞啦...- T$ g2 m1 {# @8 R% B/ M& [
sorry阿...大大...
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-12 01:56 PM
標題: 回復 4# 的帖子
Dear ~~( {+ X* p+ g/ n9 o: Z4 `% D3 T; C
我的看法是:
: R* O6 g" n) {0 t: AVbs增加=>Vth減少=>Id增加...所以gmb=Ids對Vbs偏微分...所以方向應該D->S(Vbs>0)
. y7 L; ?; ?4 S! W' O" n根據Razavi看法...p35
+ L2 n# \( o+ }) n3 }Note the gmVgs and gmVbs have the same polarity.i.e., raising the gate voltage has the effect as raising the bulk potential.
- f. g) ~4 D- {* L# V7 W你的想法是??4 r& M, ~. g/ K+ E- h' l
歡迎一起討論>>8 z# R3 x7 T# \5 X& `- G
Thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-19 02:14 PM
Charp22章
  |: n! t% C2 Y: l8 I2219
2 |* H. V: ~5 R) N/ P- R# z6 F有錯誤的地方...% O3 R& Q7 B' ~
看投影片的地方.... 圖裡面...& e+ J& p  D* P* B
Zs應該成為Zc......1 G7 f2 z9 w( B
大家注意一下...- `2 \( W; x" X% g
歡迎大家一起討論哩......
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-23 04:38 PM
Dear~~
! X. f4 O! }6 B% W: e/ P! i+ DSlide 2219: Start-up time 應該是2*Ls/Re(Zc)+Rs.....4 e* |5 d& B  }& v/ B( v
應該要2倍哩..
  e1 v: b( N6 a- o2 `" l: z2 PSlide 2222: gma=4RsCLCLWsWs...少*4哩....4 m+ A" H3 x5 h) M3 {2 G
還有Rb>>1/(RsC1*C1*Ws*Ws)吧..... 5 }. o0 V& S, }4 \& Y: P( S* y* r
歡迎討論!!!!; \; E% ]% O# O9 h, _3 u
; |9 k2 @1 r8 ]8 n4 D9 Y+ k
Thanks!!!
0 V" I" v) J' R* t# J) V
) X& c. o$ E, h, S0 R* e! l[ 本帖最後由 賴永諭 於 2009-3-23 04:41 PM 編輯 ]
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-7 03:07 PM
Dear~~2 r7 ]3 ]; }" T0 f5 c, N
Slide 1915: It should be double the value of all ground and series capacitors.
3 B1 i5 ~- [$ ^- {- A9 D2 [) LThanks!!!!
作者: fcchang    時間: 2009-4-20 01:28 PM
有誰知道這本書中文版哪裡買啊) e+ Z9 C. r) `/ z; C: n0 j0 X; W
看他的講義就覺得很棒了,現在又看到有書可以買
7 d, C6 ?" c5 @有誰可以告知?
作者: chungming    時間: 2009-4-22 12:19 AM
slide0129  的確是有錯, 如大大所說的才是對的
. c7 |5 ^' G: K9 F9 T4 Jslide0134 我不太懂大大的意思?您指的是解說的部分嗎?那邊我也覺得是作者寫錯
1 \$ p# f. L4 l* x$ u                   slide內容也有錯,Idst是for pMOS才對,作者寫 for nMOS那Idst應該是5uA左右7 p- I" J+ M' x2 A9 W
Slide0148 我倒是覺得沒錯
4 U# B" D6 Z$ t; U, U7 y                    我是用  Ids,sat = KP/2n*(W/L)*(Vgs-VT)^2  和Ids,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)- V/ m0 w! u# {6 d& {) {
                     Let 這兩式相等 , (Vgs-VT)vs就可寫出=1/theta
" V3 y; Q( `* g. O- U# T其他19,22章我沒看不知道8 \& ~- H" k2 Q" F% P  @2 V1 A1 N! _  }
! ^5 ?9 ?4 \* w$ V4 G, e( `7 t0 |
感覺這本書錯誤不算少,第一章其實還有一各怪怪的地方 ,像是slide0117,0119算出的電壓都不對...0 `/ R# F2 X7 Q) l, ?- q
書中很多都是跳耀式的思考和解說,剛開始我是滿喜歡這書的內容,但讀了一陣子之後總覺得有一種不連貫的感覺.) @9 w0 M0 ~; h% a/ `
他的小信號真的滿不錯的,很直覺
$ e" C# r  J7 Y/ V, B4 z+ |1 w不過後來倒是找到這個作者有出過另外一本不錯書2 w) p$ h, h- O: O6 ?) v0 Y' C, j
Design of analog integrated circuits and systems - Laker, Sansen
! ?, \. L) ]' h裡面公式推倒的滿詳細的,對回受和頻率響應部分部分"好像"有詳加解說(說好像是因為我還沒看到那邊,只是先翻一翻)
% {( H, D* @3 h/ T6 I- o" ?大大們也可以去看看囉
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-22 10:43 AM
Dear~~
7 a$ I1 H& y& yIds,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)~5 B+ H8 m0 |8 K0 O) M/ P. Y. ]
see Slide 01468 [* i8 u# _3 Q  r- u+ A1 H/ y
Ids,vs = (Kn'/theta)*(W/L)(Vgs-VT)$ ?, P# x! V& A3 Q
so ....check it again....
$ X) J1 M3 ]; u# C- S& \' ]# ]5 N& Gthanks!!!
作者: chungming    時間: 2009-4-22 08:14 PM
kgbriver 大大你好
8 Z  t' d! f" m+ f* S; D: O& i3 L我在另一本書上的推導的確如大大所說..........; @6 [  j% H& z; Q. f8 _) f' k7 I
是1/2theta3 ]! M( O" J: O) \2 t$ q2 \
要找一下為什麼這邊哪裡錯了@@( O& ?! r. K6 V5 c3 e/ V
感謝指正 ^^
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-23 01:48 PM
我個人覺得他的書要配合他上的課會有比較大的效果,1 J1 x1 n0 j, Z" S
像自己看的話,我會發比較多時間想一下他說的東西與概念...
7 u- ~& p+ z$ [: f0 {* h6 x所以事實上他的書並不好自己看哩...我覺的有老師帶著敎會比較好哩  X* V# \+ l; r6 C8 v9 M( S
台灣好像還沒老師是敎這一本哩....
作者: donothing    時間: 2009-5-15 09:54 AM
想請問一下
7 A2 ]  B! x, m2 ]* k在bandgap那章 1611
( ?# o6 c$ @! g9 h# |" @有提到 Ic2=A/R2  A=KT/q * ln nr =0.12V# l, e# R0 \$ k, ^2 U1 ?
/ g% _) J0 ]0 J  H6 n( V; [8 `
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V gm2R2 =2.30 G' P9 m( M. C  z
, H; Y5 H! C. V# A
這是誤植呢 還是有特別的涵意
$ {( P3 \/ N7 f) ]& J; ]另請教各位大大  gm2R2 應該 4.6 吧6 z2 V/ N+ o6 p
但是我只能推出是 跟 gm1R1 =20 比較得知
  Q% w& Z. \- s# A: D# I) _& Z但不曉得gm1R1 為何是 20 有請各位告知
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 10:03 AM
最近比較忙哩,今天會研究一下,再上來跟大家分享一下...
' H0 T/ D% w( [& I1 X2 Cthanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 11:46 PM
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V..... 我想應該是寫錯了吧(0.12V)7 U  y" b- t5 ?2 l
..gm1R1=Ice/(KT/q)*R1=0.5V/26mV=20" u- t0 ^; w4 c0 G6 N  g
了解嗎!!!8 \8 n7 M9 B) T8 x2 h
Thanks!!4 i; F2 ~7 o$ }
Kgbriver
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-16 01:11 PM
slide 1813) I2 s2 M2 a% _7 C1 A4 D
由圖可知 baseband應該是3MHz,
9 X$ X* }- ~( M9 R1 g4 S' D$ CHD2 6MHz6 Z8 H2 S5 o7 W" v
HD3 9MHz& ~( |. ~/ Q) f8 G$ a0 d2 a
thanks!!
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~
# ?/ ?( x; }! q7 _1 i  w: [& M已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:12 AM
是简体中文版!
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:13 AM
可以在、网上直接下载扫描版的1
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-20 10:06 AM
建議還是看原版的書會比較有感覺哩
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:28 PM
推薦slide 1979...( s' L6 M% }' A5 e) v
Filter的比較圖喔....
! V- w% y( }+ ^, E$ v  c* e/ c最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...
; q& h! ]* m( V6 d/ Z6 y3 Y4 J看有沒有新發現哩.......
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:29 PM
推薦slide 1979...
, U6 B) i* x2 O, F3 P4 T1 i: uFilter的比較圖喔....+ U' @  d) U7 R
最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...# ]6 F8 a9 s/ G* Q, n
看有沒有新發現哩.......
作者: china.linrong    時間: 2010-3-21 11:09 AM
有中文的,我们学校图书馆刚买我就借到了。感觉是有些小错误,但是还是很有用啊,对设计有很大的帮助
作者: tuza2000    時間: 2010-7-7 09:40 AM
slide:0732 M1 see 1/gm but M2 see 1/gm divided by the gain of M3 gm3ro3, why?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-9 06:42 PM
從M3 drain 看進去的電阻是  1/gm3 ,then 考慮這各電阻值之common gate input resistor 及可估出來(可參考Gray的書3.3節)0 f% q/ M1 v, O) _3 ~5 ?8 D
thanks!!: m' c/ ]. l+ z# I- Q4 z  X  h
+ Q3 F  T1 G# S0 ?- R, W
補充內容 (2015-4-21 12:41 AM):
; J7 _+ C# V1 E修正說法~~6 h' ~7 y! x: ]4 m
1/gm3/loop gain and loop gain approximation gm3ro3
- y0 f, O3 A+ F8 a4 ?8 AThanks,
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:02 AM
thanks for your help,but for common gate mos,it works as res scalar,the ri equal 1/gm + rout/gmro,not (1/gm)/gmro,is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:43 AM
you means that M3 act as diode,so drain res is1/gm,to the source the res equal (1/gm/gm*ro),is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 02:02 PM
0837:the left pmos diode‘s gate should connect to m6 gate?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:37 PM
回復 31# tuza2000
+ Y( s: f/ l6 `2 m
+ r" Z0 W7 w* d8 e" ?; T, ~
) S3 I7 C& Q8 o9 H4 {, Y    Yes~~~~
% g5 h: Y6 k) ]3 J    You got it~~~
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000
5 i& e* \% i/ o3 F8 t: f
! \) E* @, g( e5 @3 `) t, b+ L) W2 k2 i# h1 {& Q# T0 k! j
    書上有提到M5~M6 and M9 gate 電位相同,  bias電位數量少一各...
9 k$ O. W( m! S  {  p5 IPlease see the sansen's book.! a9 ]& k% Q$ _1 X9 c8 Z( T
thanks!!!
% [+ \1 B7 t$ b+ o; y
$ w4 V; R5 j) ], z! I7 u! d$ U補充內容 (2021-9-1 12:37 AM):
7 Y$ }* Y' p  K$ D是的
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-26 01:39 PM
slide 0118
9 o- \1 ~& I; S8 o0 @) m# O5 C圖上VBS應改為VSB比較合適..
作者: 賴永諭    時間: 2010-8-23 02:17 PM
Slide 0262  R! ~0 c4 W2 Z( W3 C% {6 h( y
個人覺得應該是series-series feedback.(current sampling and voltage mixing ): ~3 ^- `  x0 U2 I9 z
thanks!!: L5 b* w, X  H$ X7 ]6 m" j" J
( R* o0 i2 p. O$ z1 {4 ?0 j
補充內容 (2021-9-1 01:26 AM):. {3 F$ L, u9 k
更正說明~應該沒錯是shunt-series feedback, current sampling and current mixing;可參考1410
作者: bigben    時間: 2010-9-2 01:50 PM
是有中文的1 k6 g8 ]0 E2 Y8 f7 G7 o0 l3 i
有些翻译不太准确 还是要看原版的啊
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:28 AM
Slide 0148: 2nLVsat/u should be changed to nLVsat/u
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:46 AM
Slide 0128: Symbol 似乎有劃錯 且PMOS 小訊號source to drain current should be changed to
5 s/ R+ R( ~) N! U" l  o% @8 xgmVsg ,不過Fellow Sansen 可能有自己的一套解釋方法~~
作者: flywb    時間: 2012-10-24 08:40 PM
这本书很不错啊,刚看了一部分,内容主要都是JSSC上的~
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-11 03:01 PM
slide 154
  N4 P8 j, h. l% fA gain of 1000 is expected.0 Y. u6 a; e# P' Y# v8 d6 e. j' l2 |
=>應該是 A gain of 100 is expected.
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-31 05:24 PM
Slide1524: 0 j+ G& {8 J8 w
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
; D2 `" u' d! Y% |! G0 `6 C0 Y/ a# n; m/ N: {( J: J
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
& X5 X2 o3 x9 `7 U9 rSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
/ U( I3 V/ T+ P- A' e% Q1 ]% g& c" R3 C$ R6 x! i
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
3 p8 a$ |/ r* [! xSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-8 08:10 PM
Slide 1312:
( U# X* F( n& x" wInput shunt: Current mixing輸入電阻變小0 ~0 j4 j9 h5 ]- e1 e
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大% b* y6 l) h# h  z7 \
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小% f$ {3 P" o- i' X
Output series: Current sampling輸出電阻變大
+ @4 O; f! b* W  d! C. j$ n
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-30 11:14 AM
slide 0731. \4 C: q* f) Z# ]5 R( z. V, g6 d% b6 Y
需要4各bias 點~. J* y) O: Q+ T4 m

5 Y$ E1 H% C. D$ p# Vside 0732
# o! G6 I9 J( k( k2 S0 e) A( _$ s只需要3各bias 點~- }( H- U8 ~. F" D: ?$ T6 i2 R
M2 D 端的極點比slide更遠
作者: 賴永諭    時間: 2019-2-12 04:46 PM
slide 097( y/ ]" N6 X: d2 ]3 t
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
  h: ]/ j  E/ z: \1 Odepending on the phase margin required.
0 h' v& C6 H& G& o=> 更正
/ E( d7 f1 @& E- O4 AIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
, ^! ], b( U. p' m5 n1 ?7 v' H) c9 t5 Edepending on the phase margin required.
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-1 12:36 AM
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
7 a7 V: ~( J6 R: o6 I8 T: y回復 32# tuza2000
$ Q' }9 M$ T5 m3 C, a  R. c# E
上面說明有誤~
+ W9 w- c: j: \2 u4 r實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
  \0 t' f  k8 M" D" \0 h
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 05:27 PM
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)8 X+ y/ W5 X: y! _" g9 Y
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
! b  ^) w6 K% j) M7 n) }所以Rm增加beta
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 07:45 PM
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
5 q* d- _& i: Q) t! P9 X1 RRef: silde2219
  R% J- m2 S' eStart-up of oscillation 可知
作者: 賴永諭    時間: 2022-3-30 12:22 PM
Slide 025
1 Z; h; ~% b- uNoise will be explain in detail in Chapter 4.
作者: 賴永諭    時間: 2022-8-5 12:03 PM
slide 0444
' A2 ~7 X* c# X; sNoise of a current mirror with series R:
2 m1 B2 l% I# o% M前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
2 [8 i" F8 f. r- g& c' _還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
; M. I, q1 @1 X  ~9 {8 S3 n謝謝~~幫忙回附一下
6 k5 v$ Z4 C$ {% C, D
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:05 PM
slide 0513& w8 V- `" m6 @
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
" |$ E; n% b( q. \1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
$ Q+ i! K% D/ z$ K2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
7 ~; _$ T5 n0 d$ X* l3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:07 PM
slide 0513
" f' O+ O. w1 R, H8 u2 Y& i  y' `分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下% {$ \6 ^. e+ ~3 q' p
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。) Y  _, L2 }0 J$ S$ P, @
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
, j' e5 p' G: h/ \0 c" k3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 03:59 PM
slide 2222
" G! ~) T6 W& xVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)* L- e# ^4 Y; d, w, j" l6 @  K
- [5 Y, t* H  M: g! ^0 |/ r
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
: N& O; v+ l+ N* ^% B  `( k( g用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻' {' F4 K. A$ _
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)# y6 @5 B/ G& B

作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222
1 [$ j9 ^/ g2 S* G: L. c4 FVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
% g, V" h3 p5 R+ E3 O! ]3 }$ e: ~# g5 f9 o; R/ k
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
9 y+ L9 y( H& m4 z6 S% H用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
4 E) c+ d/ v. ]所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)) o' H/ |+ }; T7 m% l

作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 22222 B+ {2 i  u  l, C
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)3 B: z# C( V7 K

0 }. V/ J' p- [9 |- d=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C21 @1 U( W& e& A7 R, S8 z
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻0 B. X8 K) L6 U
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, Q* T/ B% }: i' X7 O! z! ~- E, L
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
; V- c; r+ b5 U/ W/ `# BVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
$ w& P8 [; z# m8 b3 I. r, I! |3 J& Z/ e2 G
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2, s- `4 |( R) `1 H; Y+ z
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻; _" v0 p' @  a! K
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
' B8 b4 I* V% |* C- z
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-6 11:07 AM
slide 2264 Calculation of gmA
( c% i$ r, k4 w0 I+ P& T: _* P9 H- R! f+ J4 v+ r% j
gmmax 應該是C1WC1/2C39 i' I. v; o- `# f! ?: w
: A" @% s6 U& ~# j8 Y  u
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-7 05:51 PM
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM7 Y# {: I! W0 S/ x7 K: i
slide 2222
8 y7 r) A% C' h& M' g$ h1 dVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

  D6 H) s1 C% _4 y- e5 i) Y+ qgmA~ 4RsCL^2Ws^2
' n" d2 K, I% K( t4 b7 s; H+ band 4WsCL^2/QCS! m. E. l$ k7 Q2 W8 A* H2 R
' W, @6 ]/ q0 W

2 ?9 x" S+ e# [. C) j+ O
作者: 賴永諭    時間: 4 天前
RIP 9 {: S$ D/ I. N5 v( F5 l4 n( L

/ o2 K3 H+ b$ l. F) X. j" LIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
4 ~+ b  d) @8 x* L/ ^( q* S* _) V) n0 c. w# k" v
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html




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