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標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？ [打印本頁]
作者: lynker    時間: 2008-11-3 04:08 PM
標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？
小弟想在0.35um_BCD制程下，設計一個bandgap，電源電壓為4V到9V，輸出1.25或者2.5V皆可。為了節省面積不想設計為純bipolar結構。如果是使用MOS管的話，我該如何下手啊？MOS管的耐壓大概在5V左右，而電源電壓卻是4V到9V。是否需要一個簡單的降壓電路為bangap供電呢？望高手們指教啊。
作者: shaq    時間: 2008-11-3 11:15 PM
因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。
. @" X( V5 k  {/ N6 i  L$ F
9 j( {# z$ m5 q# u2 k) J0 i8 z" ?* C[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 09:02 AM
標題: 回復 2# 的帖子
多謝指教！
+ `; R$ [* }9 B0 C2 k: n3 E查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什麽？
% x; U6 E, j0 n
- x% H/ h  k$ _: L+ H; Y; O) @% {3 s$ K[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-4 09:04 AM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 11:01 AM
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:32 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表
8 T$ M1 }1 L. m. j, J剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？
8 {. G, \5 v. x+ V+ V* {

  s# }$ _6 }$ K# k4 e* V! t# z$ g8 u
* }4 t' _' L5 _; l. i6 }9 n: ?DMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率( F4 g' J! `$ u# i5 p/ u( M
HVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端
. A7 P* I9 t6 u1 g
5 y7 d$ L7 [- L9 l. S* p0 J$ X若有缺漏，麻煩其他高手補足。
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:33 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表 " ?. m9 a0 {/ \- g  u
多謝指教！& a* J7 R! ^( ~# Q, T  k, g  f
查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？

1 J8 s) n0 ]1 g) r9 j9 W
- m( S" e' e; W9 U有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。
作者: lynker    時間: 2008-11-4 03:30 PM
標題: 回復 6# 的帖子
不知道我這樣做Pre-regulator，是否正確。# l/ X# o$ l9 x3 [& V
我是將幾個接為diode形式的bipolar串起來產生一個4V左右的電壓然後經過source follower， buffer出一個3V的電壓。用這個電壓為MOS結構的bandgap供電。
  y9 R3 J* `! d9 c0 z5 [大家都是用什麼方法實現的Pre-regulator呢？請指教。
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-4 03:58 PM
不建议bandgap直接用HV MOS做，因为HV Vth不是很准！还是把电压降下来，再设计bandgap
作者: zorro    時間: 2008-11-4 05:22 PM
可否直接用Bipolar來做，因爲B的耐壓一向比較高，到9V應該沒什麽問題。
作者: yutian    時間: 2008-11-6 09:04 AM
請問一樓的樓主，你采用的制程是VGS=5V、VDS=4V至9V的呢？, ~# o; R- D# V8 R( e; x* Z
我用VGS=5V、VDS=18V做過bandgap和regulator，design時要特別注意制程對NMOS和PMOS的VGS的要求，因為不允許其VGS超過5V，tape out出來測試還可以。
& E5 g% ~' y/ _9 Y  k$ |直接用Bipolar的做bandgap我還沒做過，有機會交流一下。
作者: lynker    時間: 2008-11-6 03:27 PM
回復 10# 的帖子
. M- y. s9 }' j9 e2 A/ i* B我使用的是BCD制程，bipolar，HVMOS，DMOS耐壓較高，LVMOS則都是3.3V的。現在把電壓降下來了，用LVMOS做的bandgap。
% `* G0 `+ Y! P$ @) P4 p  S0 m; \以前做過一個LDO，是bipolar的，其中bandgap結構如下：
) k" d3 _9 ^0 |' G) _- Q因為LDO要求不高，所以bandgap未做trimming，4V的LDO tape回來，輸出偏低，分佈在3.92到3.96之間。
作者: enjoymartin    時間: 2008-11-14 11:35 PM
最好还是先做pre-regulator,then design a bandgap circuits.这样你选择的余地比较多了，其实纯bipolar的bandgap主要是功耗和layout面积比较大，但精度还是不错的。建议还是在电路中使用一些lvmos来设计bandgap,结构还是比较多的，看点paper就明白了



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