原帖由 sensing 於 2008-10-13 10:44 PM 發表
請問CM168899, * x+ Y0 N) e& [0 S% O0 ?
; H/ f9 L4 ~5 |
共用drain 會讓RDS變小的原理是甚麼原因呀?小弟不解,煩請解惑, thanks
原帖由 sensing 於 2008-10-15 11:10 PM 發表
可是從書上要降低RDS的方式無非是加大(W/L) ratio, 或是提高(VGS-VTH),
因此通常POWER MOS的面積都不會太小, 所以才有書上non-conventional的LAYOUT方式3 Z0 v! r( B( e
; ?3 c# ?7 G+ g P* _! S8 @
目的也是提高單位面積內(W/L), 因此小弟不解POWER LINE ...
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