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標題: RFIC 的ESD保护 [打印本頁]

作者: daojx    時間: 2008-7-17 09:49 PM
標題: RFIC 的ESD保护
为什么RFIC的芯片比mixed 芯片在生产测试中容易受ESD损伤呢,有没有RD达人帮忙从芯片设计的角度解释一下,谢谢先!
作者: daidai    時間: 2008-7-18 09:20 AM
RFIC has pins for high frequency application. Such pins have capacitance limitation to prevent from signal power loss. Small capacitance demand results in worse ESD protection capability.
( O: t' E/ _7 c0 Z$ \Mixed-mode IC operated in lower frequency range has larger room for better ESD protection design.
作者: daojx    時間: 2008-7-18 06:35 PM
谢谢daidai的回答,可否告知为啥small capacitance的ESD电路就难设计呢?惭愧,不是很懂哦!
作者: daojx    時間: 2008-7-18 06:44 PM
补充一下,RFIC 受ESD损伤的经常是那两个保护diode,是不是RF的diode跟mixed ic 的diode不一样呢?5 {% D% X6 t5 i1 v
还有ESD 保护电路是要求IC在有power supply 的情况下才能起作用么?! }$ z1 l" Z  `0 j, F  e  Q( R
; e  N  Z9 q1 w+ D) W6 t. g' B0 a) @
[ 本帖最後由 daojx 於 2008-7-18 06:48 PM 編輯 ]
作者: daojx    時間: 2008-7-21 08:57 PM
自己顶一顶,希望达人开开言:
) T7 ]; U0 o  G" i6 f' _$ ~2 a$ HProviding ESD protection for RF circuits is not trivial, as the parasitic impedance contribution from the ESD protection could degrade the RF functional specifications.
作者: CHIP321    時間: 2008-7-22 11:01 PM
同樓上問題,如果.18的RF mixed IC中同時混和使用1.8 3.3 4.8v器件的情況下如何處理ESD情況,是否使用1.8伏特的比較閤理,這樣可確保最脆弱的管子也是安全的,以保障芯片整體安全,但是如果有power supply 的話,那么我如何選擇呢,我總不能給1.8伏的ESD,SUPPLY 5V的電源啊?4 F. L* F  y3 _+ m( {
或者說,如果一個4.8伏的電路中夾雜3.3伏特的器件,但是使用5伏電源域,那么我的ESD如何選取SUPPLY呢,5V的OR 3.3伏?
9 N+ S4 X- _0 z. S
5 w6 p1 ]4 U# J# ][ 本帖最後由 CHIP321 於 2008-7-22 11:04 PM 編輯 ]
作者: daidai    時間: 2008-7-25 08:54 AM
Usually, if we use diodes as ESD protection devices, the area is inversely proportional to application frequency. The small diode area results in weak ESD immunity. This is why ESD protection design is harder for RFIC.3 d8 J$ Y/ l: k0 {5 v9 y
Regarding multi-Vdd issue, the choice of power supply of ESD protection circuit is suggested to be the same as the that of core circuit connected to PAD.
作者: daojx    時間: 2008-7-26 08:21 PM
thanks you daidai, I got some files from internet for further explanation, if you are interested, i can upload them here.
作者: cthsu1    時間: 2008-9-8 10:46 PM
標題: 回復 1# 的帖子
diode 只要可以承受順向偏壓 2kV 以上即可/ u$ z) I; C. _6 L7 \% c2 T' ]
一般面積要看電容值要求而定
) d' b2 g4 F, z4 k( c8 o通常 Pad 本身大約可以做到 80fF" G) b/ J0 a8 H# R* f
電容最大也是只能是 100fF 或更低
) R+ U* o3 j: t3 F+ Z想要自己抓 Size 要做 G-S-G Pattern 來量測
4 {0 s! g7 t6 h" V1 _7 B$ u# I0 G8 K3 P
如果 Power 和 Gnd 之間的 Power Clamp 做的夠好夠快夠大
/ X* r; u' T3 C  v& |5 E" mRF IC 到打過 HBM 5kV 不是難事
作者: szona44250    時間: 2021-8-26 01:36 PM
受益'良多
, k6 m$ S) i8 k; g- k
0 Y: Z8 V. j: R4 @, m  U. Q% i謝謝大大的分享!!!!




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