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標題:
Diffusion ROM & Via ROM ？？
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作者:
swamy
時間:
2008-5-30 09:24 AM
標題:
Diffusion ROM & Via ROM ？？
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
: u3 U Z/ V' ?! G$ Z0 C
它們的差異在哪裡呀？
) o( b* ^/ f1 u" D4 t* G3 Q& n
請知道的大大share一下！！
作者:
rogeryang
時間:
2008-5-30 04:57 PM
網路上查到的.參考一下:
/ H0 T& G, R* b2 X$ _
"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting
: v3 p# M+ a/ g" S. G
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1
$ s) ~' t3 V+ m/ j- n
VIA ROM may have bigger cell size "
作者:
teaman
時間:
2008-9-29 01:52 PM
以Mask而言，Diffusion layer 的製造順序比PLY前面，wafer
; t3 ?7 O) x* o* Z% n3 O
不能hold在此時，在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
0 f" E, B% Q8 t; s+ g0 s
project，選用Diffusion ROM是很不智的。
1 K0 P- d% T" E6 Z0 v0 F9 w M2 J
但他有面積小、速度快的優點。
$ X" t) F/ s6 w" c9 y7 }- _1 q4 v
) M3 C) c# n2 L* Q n0 B
另，Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
* d h# ]6 N( W# Z; I! ^! j
方式通常有patent保護，自己要design時候要特別注意，也要看
. x7 D% M! n4 H2 ]
你要投的fab有沒有支援此process。
) F A2 w2 X0 |" [0 }0 m$ p
1 u! a% h1 Q; U r3 S
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
& m# q5 c+ K4 ?; O4 V3 \ N
: Z: q- Z$ a( u6 _* X
[
本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯
]
作者:
yslai1222
時間:
2010-7-2 10:20 AM
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小
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