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標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
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作者:
jeffrey
時間:
2008-3-7 04:26 PM
標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
Dear 先進們,
+ x! z1 ?3 S7 o! W
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
3 V5 \1 G* x M1 i
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
: p6 o5 W1 ~/ }! G4 q: D
% Y' {6 h* X% r' X& Z1 E
感謝各位的幫忙.
作者:
qpau
時間:
2008-3-8 09:37 PM
MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
$ |6 }. d' e# C0 J- _
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
+ u. `8 _7 j& {; E
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
( ?/ m' s- h& `
可用軟體模擬出C-V曲線,
; o# A! C" D& u( I9 ]1 ^6 g
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
5 R) u2 `! F, q, j
也就是長在NWELL裡的NMOS,
, x2 N9 K! U% B& r) o
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
1 l/ h0 C, S' L
使用這種元件並不需要多加光罩,
: v5 q" z! K0 z9 t; i* e E8 u
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件
作者:
tommywgt
時間:
2008-3-11 12:09 PM
我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
% S I# d( O" E6 R h
3 a0 \" S4 M. R0 n, V
哪位大大可以補充一下下?
作者:
st80069
時間:
2008-9-1 06:02 PM
我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
' ^( z4 j7 d% I) a) M; f
.option dccap post
I1 }% T5 ^+ ]
.print CGG=LX18(mn1)
5 O' p9 C2 B" k8 w
.dc vin 0 5 0.1
B5 W3 g& i3 c
....
, \0 \/ Q- z, v& x
.....
' d8 A; U+ B5 u) Q1 {
.......
9 M9 C5 v7 o& |( J$ l
.end
$ e! |3 d0 N) }1 {1 W- ?
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
6 ^1 w$ Y' @- ~6 }% n* y4 q
如有錯誤，請大大們指教~~~
% C* j" C' Q! y; [
% V2 W |: v- p8 _1 @- T$ ]
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
" c$ y' y5 {9 }( ]6 {9 h* B1 y
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
% Z1 p6 _* k; U( L2 |
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???
作者:
小緯仔
時間:
2008-9-17 04:10 PM
回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
: a0 O+ E7 |) K/ }: `0 L0 s# z
8 S+ m; \& S9 G9 p# A$ Q, p
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值
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