Chip123 科技應用創新平台
標題:
MOS DUMMY大小
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作者:
s055661
時間:
2020-10-26 10:48 AM
標題:
MOS DUMMY大小
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
6 x6 R' }/ k8 m
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
! T& d# b' s" O! I; I" U
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
& K: b u8 n8 o6 ^) W
7 D0 j0 n5 p. j! U+ M& h
作者:
tony9211
時間:
2020-10-28 01:20 AM
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
% T6 U$ _5 {5 p& ~" S/ p2 Q/ R; k
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
: [+ t: C8 y, z+ B% y+ Q
作者:
joe1102
時間:
2020-10-28 10:03 AM
補充，Stress spacing 也是考量之一，
( F; k) `1 L4 Y5 }1 M4 k
0 G# ]8 c+ w1 E2 k6 Y, v7 f$ ^
至於說要怎麼設計？
6 [, ?) v4 G" T5 m' ]# o5 n& O' U, a
$ d1 C7 t# T( e: B1 z E& H) c3 L
通常layout的作法，會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
1 c, }, j( }# L p: d7 [# a6 j! W6 ?
5 Q2 k3 p7 V3 w" {* Z
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計，G接地即可
' _4 P! Q+ p, q) S1 e4 o+ D
. Q/ ?1 M; M& p1 X( V1 m7 ?1 F
至於dummy加的量以designer為主，至於加多少量參考經驗值作為依據，每個製程被要求的dummy距離不一，
作者:
huangleelung
時間:
2021-6-23 06:06 PM
詢問有經驗的人，或直接請你的designer跟你說
$ o' X E+ }- }0 c0 e
不同製程，情況都不同，所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
# W3 p. }. @7 {2 ^+ s
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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