Chip123 科技應用創新平台
標題:
求助：測試的商用芯片HBM ESD耐壓為何高於其標稱值？
[打印本頁]
作者:
wangyuestc
時間:
2013-12-12 11:00 AM
標題:
求助：測試的商用芯片HBM ESD耐壓為何高於其標稱值？
一個商用IC只有兩個I/O引腳，datasheet上標稱ESD為2kV（HBM），我們使用HBM測試儀對其測試，正向反向放電各10次，脉衝間隔1秒，測試了10片，結果為3800~4800V，明顯高於其標稱的2kV。
5 c/ U" }8 E2 l
, }+ @! @: e" V% n% Q
另外我們對自己開發的多款IC也進行了測試，該IC採用TSMC 180nm 2kV ESD模塊，也是僅有2個I/O引腳，ESD模塊緊貼放置，測試結果在3700~5700V。
2 W `0 s9 H% |8 b# T
5 G/ ~# m. ~% K9 u: @" O: q
請問這是否合理？是否我們的測試方法出了問題？謝謝大家！
作者:
newparadise
時間:
2013-12-19 06:10 PM
這個值要超過才算合格
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://www.chip123.com/)
Powered by Discuz! X3.2