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標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT [打印本頁]
作者: YuanII    時間: 2012-6-26 03:53 PM
標題: 弱反轉區、BJT之LAYOUT
各位大大您們好:* Y& @7 H$ F" w2 k# m
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
! _. N( ]5 w& t2 ~    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
7 Y7 v  e" z, l    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，9 S" i' W' m" }, ~8 q2 m/ k7 }
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，) w% Y; b4 T7 t+ h( F' y
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
  r. I2 E: d" N+ m  q    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
& {$ d3 A$ H# [7 n% s% X# {1 k; u" \: i7 ~% D
      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，+ z5 x; N' K! c; q+ H- w8 C$ w
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
/ [) b8 A" u; i: s: }8 v$ T    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，, T2 e& z( D: }" J- s
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??1 }! ?7 S% S1 M' r7 k8 \) R6 f* ~
& O! Q0 [; S; n* \: r7 Z# F& Q1 l
      請各位好心人給意見^^謝謝
作者: billlin    時間: 2012-6-27 09:29 AM
想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
4 @7 ]8 j1 q& P" l/ O) p5 k, Ko代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積& w# T( q# P0 L6 V/ C9 m( Q
o  X  o  X  o
3 b4 R. J1 e& D# }X  X  o  o  X% n4 [1 d: x. z" K4 J0 ]4 n8 q
o  o W o  o7 u  {% F0 ~5 x
X o  o  X  X, T# p$ C, B8 t9 \( j8 z
o X  o  X  o
作者: billlin    時間: 2012-6-27 09:34 AM
weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)3 M; O/ Q* p/ F4 X  q! v/ _
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
% a6 \! ?$ S6 j8 |# Y+ M1 f所以直由公式直觀的算,
1 T8 H& j2 J& q+ d% i假設gate driver = 0.2V ..+ o4 I8 s& C7 x& y
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電
作者: YuanII    時間: 2012-7-18 08:48 PM
謝謝大大的回覆@@/ b, W6 ]& D: O( q4 W6 K
小弟大概知道意思，) L! |, I# V$ N' F
謝謝。



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