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標題:
corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??
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作者:
maipeter
時間:
2012-6-9 06:56 PM
標題:
corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???
. U+ ]! ^4 V$ [2 y4 M& Q
& E: ~% \! ]3 F8 Q9 j, g8 S
有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
作者:
a619willy
時間:
2012-6-13 02:22 AM
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)
- G! O- W$ _) `1 `) x/ S2 j
, U/ |$ C4 J( z1 b" L
SS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P
6 A" Z% v l9 v% ]: k
/ Y. V0 g' n; s5 Z5 X
不知道這樣說明對不對 請前輩指教
作者:
chthuang
時間:
2012-6-26 10:25 AM
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
作者:
hoochie
時間:
2012-8-9 11:52 PM
tt ss ff sf fs , 前n後p
0 N6 T& l' ?4 p& p# \% j3 b
指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
作者:
zhifj86
時間:
2012-9-20 04:58 PM
工艺角， s t f 之间一般偏差20% 。。。。。。。。。。
作者:
robin0338
時間:
2012-9-27 07:41 AM
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異，所以希望在各種情況都模擬嗎?
作者:
alubaqian
時間:
2012-9-27 09:42 AM
工艺上的误差容限范围。
作者:
经邦济世
時間:
2012-10-9 12:47 PM
学习了呵呵~~~~~~~ ！！
作者:
Rexcchao
時間:
2012-10-24 01:54 AM
學到先n後p
1 }; P1 F, @5 |1 T; W5 }% i
不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
作者:
sqnnzhu
時間:
2012-10-25 07:09 AM
nmos pmos
4 J# T* p5 y! j1 {1 b2 p
+ V" @! ]9 W# @. f' v1 r$ ]9 s+ v! X% u
slow, typical, fast
作者:
shijiasun
時間:
2012-12-5 03:17 AM
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.
" T. e4 [0 w" M
3 h; `2 V9 _/ B$ p+ e# }1 o
The art of analog layout,
% F. u9 O& q2 ]# s! N# o. \" }! ?6 f
Semiconductor Devices: Physics and Technology,
* N4 l) @4 I* z+ H6 @, _: V- E
至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
作者:
mildseven0228
時間:
2013-4-8 10:41 PM
受益良多 感謝各位大大
作者:
s010191
時間:
2013-7-17 08:21 PM
typical-typical (TT)
: S/ B4 [2 ]2 z( B2 @% p
fast-fast (FF)
5 W( e3 [! q2 K) e- Y ~+ E
slow-slow (SS)
2 c. l, x8 z" T
fast-slow (FS)
: ^ l* L" G3 c, [. G: I2 w
slow-fast (SF)
作者:
iamman307
時間:
2022-8-15 12:44 PM
受益良多 感謝各位大大
! a) C D& ?& X! f! b. K
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