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標題: ESD失效分析求助 [打印本頁]
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-20 02:59 PM
標題: ESD失效分析求助
2颗VDD到地测试
) q9 y3 }. W9 P1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
& E! R8 {; l! \4 b' J3 N2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效" O, t# P: ]6 H6 H
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构! a$ q8 v; ~% r: O1 T1 b: L* @; b
失效机理是怎么会事，多谢
作者: klim    時間: 2011-1-18 02:32 PM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:, Z- u, X' F3 d- o* R  m; j$ }
1. 請問製程為何?
6 ]$ y  a: K: D: A( ^2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
6 w, z& W, J$ w3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
. u1 T3 w! P/ ~, c3 P& h. t要有上述的數據才能做最基本的分析.
作者: andyjackcao    時間: 2011-3-27 11:34 AM
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
% q' B7 [  }# p* U- w# I3 v1. 請問製程為何?' b4 _7 C" w% o* u8 N
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...# A. E2 @3 W" V
klim 發表於 2011-1-18 14:32
  E3 m) r7 e. ?
( l5 G& ^, H& i, k$ j% `
1), 請問製程為何?
6 C4 x' _2 {# e4 [& b+ U tsmc 0.18um ) C, ?3 @( k& |: x! k5 k/ ]

3 D+ ]7 p& J3 Z% G# ^2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V .... K; f; ^  A% f- D* ^
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打6 v( Q2 S, y7 ]* ^) r& F  T

1 `4 I0 v! v/ f! t1 T3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
作者: postme    時間: 2012-2-12 01:41 PM
感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？
作者: andyjackcao    時間: 2012-3-13 08:20 PM
感谢关注,ESD问题已经解决
作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 12:21 PM
how to resolved it????
作者: andyjackcao    時間: 2012-8-21 09:40 PM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路
作者: chang707070    時間: 2013-10-13 02:30 AM
在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
% E5 @. r" J0 M- u* b均勻是指什麼7 p0 Z) k' D( K- j9 W, A
方便貼圖上來嗎



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