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標題: 二极管与MOS管做ESD保护的区别 [打印本頁]
作者: andyjackcao    時間: 2010-10-31 10:46 AM
標題: 二极管与MOS管做ESD保护的区别
在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些., J2 |0 w; m: Z* k! L
我考虑到的有：" e# a1 ^: f% U& e
1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；" |+ x, K) e0 V$ T2 G
2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
+ L7 a/ d% G8 J. t' C6 l) M& i3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；( J9 ~4 R0 W3 e" T6 M$ S: Q
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
9 Q. C; y3 \: R0 s. \结论对不？7 b3 P# n8 y' D. p2 E- X
多谢
作者: andyjackcao    時間: 2010-10-31 06:23 PM
芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-1 07:48 PM
还请大大帮忙解决下这个问题：）
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-9 08:11 PM
1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
( _. H' E) s" l: e. n2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配
作者: andyjackcao    時間: 2010-11-19 07:37 PM
1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
" R$ G* o7 W2 ~2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容: g5 x9 Z  U$ e2 H
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑
作者: franklu1227    時間: 2010-12-15 04:29 PM
怎么只剩楼主一个人自言自语了？
作者: andyjackcao    時間: 2011-9-2 09:57 PM
二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；8 y$ s2 s% f& h# C( m: o, z
如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。
作者: szona44250    時間: 2021-8-25 09:58 AM
感謝大大的分享，受益無窮
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+ Q) y2 [: l$ k謝謝



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