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標題: 4 項Mixed-signal/MEMS CMOS設計製造平台業界開發產業技術計畫 [打印本頁]
作者: tk02376    時間: 2010-10-28 04:14 PM
標題: 4 項Mixed-signal/MEMS CMOS設計製造平台業界開發產業技術計畫
經濟部通過聯華電子開發Mixed-signal/MEMS CMOS設計製造平台等4項業界開發產業技術計畫 2 h, d2 Y  e  K; {2 ^
發佈日期：2010/10/22
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! o. n/ L; W) E2 w　　經濟部召開第145次「業界科專計畫指導會議」，會中通過4項業界開發產業技術計畫，分別為聯華電子股份有限公司申請之「Mixed-signal/MEMS CMOS設計製造平台開發計畫」、矽品精密工業股份有限公司申請之「Mixed-signal/MEMS CMOS晶圓級封裝製造平台開發計畫」、京元電子股份有限公司申請之「Mixed signal/MEMS COMS測試平台開發計畫」及聯陽半導體股份有限公司申請之「Mixed-signal/MEMS CMOS共同基板材料系統晶片開發計畫」。
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　　數年來台灣半導體產業蓬勃發展，並提供國內外整合元件製造商（Integrated Device Manufacturer，IDM）專業的製造服務，惟大部分屬於代工業務性質，無法進一步開發自有產品。聯華電子股份有限公司等4家廠商同感台灣半導體產業需要有新思維來整合國內廠商的研發能力，故運用我國半導體產業具備專業的垂直分工特性，攜手共同開發互補式金氧半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）微機電系統（Micro Electro Mechanical Systems，MEMS）之設計、製造、封裝及測試平台- 由聯陽半導體股份有限公司負責開發Mixed-signal/MEMS COMS共同基板材料系統晶片、聯華電子股份有限公司投入Mixed-signal/MEMS CMOS設計製造平台開發、矽品精密工業股份有限公司負責開發Mixed-signal/MEMS COMS晶圓級封裝製造平台、京元電子股份有限公司則投入Mixed-signal/MEMS COMS測試平台開發，期能透過半導體業者上中下游的合作，促使台灣微機電產業蓬勃發展，並取得全球微機電的技術優勢，進而與國外IDM大廠並駕齊驅。
作者: tk02376    時間: 2010-10-28 04:14 PM
一、聯華電子投入Mixed-signal/MEMS CMOS設計製造平台開發
3 {. Y. E# c8 `7 e* r  M  t( I/ t　　微機電系統應用領域日益廣泛，惟大多數的製程專利均掌握於國外整合元件製造大廠之手，造成國內廠商無法進入高附加價值的感應器單晶片系統(System-on -chip，SoC)設計製造與服務，故聯華電子股份有限公司投入微機電系統的研發，期能透過微機電系統技術與混合電路製程整合，有效促成單晶片系統感測器的開發，並完成由台灣主導制定的標準混合信號與微機電系統設計製造技術，促成台灣系統廠商主導定義的整合感測系統單晶片產品上市，以爭取全球半導體設計製造產業主導地位。
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3 O# v/ M2 e+ v8 n二、矽品精密工業開發Mixed-signal/MEMS COMS晶圓級封裝製造平台# r2 V/ V8 m; p$ e
　　矽品精密工業股份有限公司有感於全球微機電系統產業聚落尚未成熟、封測技術的瓶頸限制了微機電系統的應用、加上晶圓代工和封測間嚴重缺乏標準化平台，造成高成本低獲利的結果，故投入Mixed-signal/MEMS COMS晶圓級封裝製造平台的開發。本計畫將研發混合信號與微機電系統互補金屬氧化物半導體晶圓級封裝製造平台開發技術，以晶圓對晶圓的技術完成單晶片系統封裝。矽品精密工業公司具備精實的研發團隊，並擁有8吋與12吋晶圓級封裝等核心關鍵技術量產經驗，未來將以先期掌握規格和專利之優勢，鞏固台灣半導體產業領先地位，並藉由台灣半導體產業製造與品質管理的經驗，促成微機電系統封測產業聚落形成，以帶動完整產品供應鏈的建立。
作者: tk02376    時間: 2010-10-28 04:15 PM
三、京元電子投入Mixed-signal/MEMS COMS測試平台開發; p3 b. u8 k  K) {9 ?) Z/ @$ f
　　有鑑於國外整合元件製造大廠掌握了微機電系統製程專利，造成國內晶圓代工廠即使擁有相關製程技術，也無法提供國內廠商進入高附加價值感應器新應用單晶片系統設計的現象。京元電子股份有限公司為此投入晶圓級互補金屬氧化物半導體與微機電系統封測技術的開發，並以整合性封裝級感測器測試技術為開發重點，加強測試模組的最佳化設計。京元電子已有多年測試經驗與整合能力，期能藉由本計畫統一生產平台，並制定標準生產規範將微機電系統之製程與互補金屬氧化物半導體製程做進一步整合。本計畫完成後，將使台灣半導體產業順利進入寡占的微機電系統市場，並挑戰國外整合元件製造廠商，讓我國在微機電系統產業中佔有一席之地。
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9 H! |& m( a' I4 p, S四、聯陽半導體開發Mixed-signal/MEMS COMS共同基板材料系統晶片+ L8 z) |8 Q. ]
　　微機電系統產業的競爭有大者恆大的趨勢，台灣在全球微機電系統產業競爭中落後於美國、日本與歐洲等地。有鑑於此，聯陽半導體股份有限公司投入整合混合信號與微機電系統及互補金屬氧化物半導體積體電路模組設計研發，藉此改善傳統製程所需耗費大量人力、物力與時間等缺點，降低台灣業者的進入門檻。本計畫所開發的設計製造流程，可有效搭配台灣既有的半導體設計利基，迅速整合感測元件，並衍生創新且高價值的感應器與電路產品。聯陽半導體在標準互補金屬氧化物半導體製程發展已相當成熟，配合聯華電子提供的標準製程，並將加速器整合於微處理器中，將能達到微機電與積體電路設計共同最佳化，同時強化創新設計與產業競爭力，除能讓微機電系統感測器更加多元化外，並可使晶片整體售價提升1.5倍，讓公司整體營收與產值進一步成長。
作者: globe0968    時間: 2011-2-24 05:27 PM
聯華電子成功產出客戶CMOS-MEMS感測晶片 預計將於今年進入量產- ~' C) R, B0 F0 I5 z

7 {% N/ p2 Q( ?3 ^聯華電子今日(19日)宣佈成功產出微機電系統（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）感測晶片，預計於今年進入量產。聯華電子三年來投入CMOS-MEMS技術的研發，終於獲得豐碩的成果。: I* ?3 b9 `3 S1 L

6 n5 S# f; Z8 V8 d使用聯華電子CMOS-MEMS技術製造的麥克風元件已經完成功能驗證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上之水準，其性能極具國際競爭力，預計將於今年上半年提供工程樣品，接著便能進入量產。CMOS-MEMS加速度計的產品開發也己符合消費性電子產品之應用規格 (1g ~ 16g)，其功能也達量產的目標。
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除了已與多家客戶合作開發各樣的MEMS晶片和高度整合的CMOS-MEMS產品，擴展微機電感測器於生活或環境監測之高階應用之外，聯華電子也以自身多樣性的CMOS製程技術，提供微機電專用ASIC晶片之專工服務，以支援各種微機電應用。
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“MEMS技術的開發是一個極大的挑戰，我們在MEMS技術上獲得的成功，證明了聯華電子對客戶一貫的承諾，提供創新、高效能並且簡潔的解決方案。”聯華電子特殊技術開發資深處長陳立哲表示。“聯華電子非常高興能夠在 CMOS-MEMS技術上跨出重要的一步，適時地提供解決方案，以滿足我們客戶在今日尖端應用產品上的需求。”
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/ v5 i: y, P" D8 n面對MEMS感測器應用的日益普及，CMOS-MEMS專工服務需求也急速增加。聯華電子未來將開放此CMOS-MEMS技術，提供產業及學術界做為新元件的開發，以期降低IC設計公司的進入門檻，提升台灣在全球MEMS產業的整體競爭力。



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