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標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電 [打印本頁]
作者: semico_ljj    時間: 2009-7-2 01:39 PM
標題: 中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響- P/ x/ x, x$ P0 g* d9 A5 J) k
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性0 `6 H& h0 a3 S" y- R; d
1 t5 k7 ^% a& C2 ?' Y; k
一、前言8 V- f3 n' }2 D
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
1 f* @& \- J- `! L" g三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
9 i, {9 h4 |0 I4 @  c四、實驗結果與分析推論, z' G( r# g+ B$ u4 F  a; Z, |
五、結論, I- J9 g  t( ~! H" A% X) u% K" }. C7 Q

* G& ]/ u; F7 D. V) @* Y
作者: alienwarejian    時間: 2015-5-10 03:41 PM
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
作者: sbm81tw    時間: 2018-11-28 04:16 PM
感謝樓主用心的分享使我們得以成長！
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, p9 Q! s4 g9 `7 C
作者: k200630901    時間: 2019-1-26 08:56 PM
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作者: balam2018    時間: 2019-3-13 07:04 PM
感謝樓主用心的分享，您使我們得以成長！~
作者: sslin    時間: 2021-6-7 10:28 AM

$ t8 B4 t4 w* C0 g謝謝大大分享，1 G# i' g+ c; ?5 B
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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
$ b! [) H2 o7 s2 t( e6 |* i& K, O3 V; G6 M2 a
先下載 看看; l( L: o( P: G% _9 }$ ~& B
作者: myokd    時間: 2022-11-24 12:28 AM
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