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標題:
SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
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作者:
alvin0411
時間:
2009-4-28 10:58 PM
標題:
SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
請問各位前輩.
9 p3 D' k9 y# M( ]1 W/ ?
SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
/ E7 ]% }+ `; `/ e- @7 B3 f0 B
然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
7 v J# h6 U# L ]* P) B/ d
/ q' Z& F& h( y. Y# I& t
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
* ? P% J5 }0 _0 r i5 S8 q
. S" Z; {" t9 N( m2 ]& u1 I G
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
作者:
stanlly9
時間:
2009-6-7 11:03 AM
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
7 l5 N1 Z" t6 `- d
我碰過的例子,也許是大部分的例子。
$ F0 _" C* w4 a; E8 _% R3 m
one-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。
/ O, U5 Y, }# d+ N) I j
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
7 a+ k" h! I$ b
two-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
% q0 ]) ]4 L H& h
1 v' n# z; F5 W2 n, f* C/ d
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
( x, q, P8 O7 I
普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大
5 O+ \3 T9 A; k( ?
可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。
& g6 r# \; c' C$ A
; \! R" B4 I3 I8 c
Register-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...
作者:
masonchung
時間:
2009-9-22 11:48 AM
你寫的 dual-port 和 two-port 反過來嚕
- x7 [/ p" y: P. j3 L) j
我用Faraday Memaker 產生
. ~& M8 Z+ E7 C) X0 W) g
4 ?1 x' P- g* U
two-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
3 j1 \2 g# ]1 r
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
+ H0 _2 k1 @( L6 U1 {# R
0 \& v' \5 G: D) Z3 _' N3 P
有錯請指正~
作者:
memcad
時間:
2009-10-12 11:51 AM
標題:
回復 1# 的帖子
dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。
8 i" x) O9 l7 n; v# Z
register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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