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標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port? [打印本頁]
作者: alvin0411    時間: 2009-4-28 10:58 PM
標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
請問各位前輩.9 p3 D' k9 y# M( ]1 W/ ?
SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
/ E7 ]% }+ `; `/ e- @7 B3 f0 B然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.7 v  J# h6 U# L  ]* P) B/ d
/ q' Z& F& h( y. Y# I& t
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?* ?  P% J5 }0 _0 r  i5 S8 q
. S" Z; {" t9 N( m2 ]& u1 I  G
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
作者: stanlly9    時間: 2009-6-7 11:03 AM
首先，定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
7 l5 N1 Z" t6 `- d我碰過的例子，也許是大部分的例子。$ F0 _" C* w4 a; E8 _% R3 m
one-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀、1寫。
/ O, U5 Y, }# d+ N) I  jdual-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
7 a+ k" h! I$ btwo-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]
% q0 ]) ]4 L  H& h
1 v' n# z; F5 W2 n, f* C/ dSARAM跟Register-file的差距在於密度問題，當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]( x, q, P8 O7 I
普通情況而言，SRAM的密度比較大，同樣面積底下可以塞多一點資料，但是他的address line的最低要求要比較大5 O+ \3 T9 A; k( ?
可能address line一定要8個bits左右，但是使用者未必會使用到這麼多entries。& g6 r# \; c' C$ A

; \! R" B4 I3 I8 cRegister-file則是可以擁有比較小的entries，但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...
作者: masonchung    時間: 2009-9-22 11:48 AM
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕- x7 [/ p" y: P. j3 L) j
我用Faraday Memaker 產生
. ~& M8 Z+ E7 C) X0 W) g4 ?1 x' P- g* U
two-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]3 j1 \2 g# ]1 r
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]+ H0 _2 k1 @( L6 U1 {# R
0 \& v' \5 G: D) Z3 _' N3 P
有錯請指正~
作者: memcad    時間: 2009-10-12 11:51 AM
標題: 回復 1# 的帖子
dual port sram 一般基于8管SRAM结构，读出靠的是sense Amplifier，需要复杂的写入和读出逻辑，面积很大，而且都是硬IP，用到的metal层多，一般要block 3层metal。所以，APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是：规模可以做大，一般是大于16Kb，规模阵列，可以shink最小drc rule面积利用率高。8 i" x) O9 l7 n; v# Z
register file一般是基于latch结构的存储单元，用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大，<1kb，优点是读写控制用standard cell做，可以APR，因此可以merge到整个设计中，共用走线通道，可以放在core中。



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