Chip123 科技應用創新平台
標題:
SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
[打印本頁]
作者:
alvin0411
時間:
2009-4-28 10:58 PM
標題:
SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
請問各位前輩.
' W7 i8 P Y" o- e) D- q& J
SRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
" J5 X- Y t, k, H- c8 Y
然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
% i3 a9 w$ g: t" W' ^& t
/ L( H r8 u+ C9 q4 q8 @: t" l
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
$ X: d/ B0 f# J( D
- P) t( |( @0 o% C8 J
對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
作者:
stanlly9
時間:
2009-6-7 11:03 AM
首先，定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
. T: r$ o8 Q" ]% j+ V7 o& y! q
我碰過的例子，也許是大部分的例子。
4 }/ x+ l/ j' a8 `" A4 H5 x5 {
one-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀、1寫。
+ S: k5 q2 ~0 U3 j, R
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
4 T4 q3 w) p0 s& e6 N8 [5 p* K0 F* x
two-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]
0 y+ G0 X) \/ l& B) e
- d2 i4 z8 g# i M% F0 W
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題，當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
; |9 X; w3 V6 s0 e: I
普通情況而言，SRAM的密度比較大，同樣面積底下可以塞多一點資料，但是他的address line的最低要求要比較大
; @( I9 w, w% p5 u u/ A( p4 R+ R
可能address line一定要8個bits左右，但是使用者未必會使用到這麼多entries。
5 J4 q: Y3 N) U' m1 t, }6 W; X
$ W- A8 j R. L6 E* j
Register-file則是可以擁有比較小的entries，但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...
作者:
masonchung
時間:
2009-9-22 11:48 AM
你寫的 dual-port 和 two-port 反過來嚕
- q% ?9 A6 P: _/ z
我用Faraday Memaker 產生
( Y- u- M' q! b
$ t# h3 c+ D: o4 ^* {# r y
two-port 是在1個clock cycle之內支援：1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條，address 2條]
. a2 b* T9 t9 c r; X1 y1 H
dual-port 是在1個clock cycle之內支援：2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條，address 2條]
$ [, i( g3 Q2 N7 N, d% h$ d
7 b1 t& T! M2 ~, u" ]
有錯請指正~
作者:
memcad
時間:
2009-10-12 11:51 AM
標題:
回復 1# 的帖子
dual port sram 一般基于8管SRAM结构，读出靠的是sense Amplifier，需要复杂的写入和读出逻辑，面积很大，而且都是硬IP，用到的metal层多，一般要block 3层metal。所以，APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是：规模可以做大，一般是大于16Kb，规模阵列，可以shink最小drc rule面积利用率高。
+ y/ s# L% W6 T) Z
register file一般是基于latch结构的存储单元，用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大，<1kb，优点是读写控制用standard cell做，可以APR，因此可以merge到整个设计中，共用走线通道，可以放在core中。
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://www.chip123.com/)
Powered by Discuz! X3.2