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標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port? [打印本頁]

作者: alvin0411    時間: 2009-4-28 10:58 PM
標題: SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?
請問各位前輩.
' W7 i8 P  Y" o- e) D- q& JSRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
" J5 X- Y  t, k, H- c8 Y然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
% i3 a9 w$ g: t" W' ^& t
/ L( H  r8 u+ C9 q4 q8 @: t" l請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
$ X: d/ B0 f# J( D
- P) t( |( @0 o% C8 J對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
作者: stanlly9    時間: 2009-6-7 11:03 AM
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
. T: r$ o8 Q" ]% j+ V7 o& y! q我碰過的例子,也許是大部分的例子。4 }/ x+ l/ j' a8 `" A4 H5 x5 {
one-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。+ S: k5 q2 ~0 U3 j, R
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
4 T4 q3 w) p0 s& e6 N8 [5 p* K0 F* xtwo-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]0 y+ G0 X) \/ l& B) e

- d2 i4 z8 g# i  M% F0 WSARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
; |9 X; w3 V6 s0 e: I普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大
; @( I9 w, w% p5 u  u/ A( p4 R+ R可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。
5 J4 q: Y3 N) U' m1 t, }6 W; X
$ W- A8 j  R. L6 E* jRegister-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...
作者: masonchung    時間: 2009-9-22 11:48 AM
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕- q% ?9 A6 P: _/ z
我用Faraday Memaker 產生
( Y- u- M' q! b
$ t# h3 c+ D: o4 ^* {# r  ytwo-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
. a2 b* T9 t9 c  r; X1 y1 Hdual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
$ [, i( g3 Q2 N7 N, d% h$ d
7 b1 t& T! M2 ~, u" ]有錯請指正~
作者: memcad    時間: 2009-10-12 11:51 AM
標題: 回復 1# 的帖子
dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。+ y/ s# L% W6 T) Z
register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。




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