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標題: Power MOS架構問題 [打印本頁]
作者: libra3333    時間: 2007-12-27 05:20 PM
標題: Power MOS架構問題
有誰公司有畫過類似Power MOS架構，能在TSMC製程畫嗎，如果能那W/L如何計算，因為Poly會有重複的問題需要知道。
. Z# o& q9 j+ ]3 n* F[attach]2410[/attach]
作者: edengod    時間: 2007-12-28 05:47 PM
左手邊的將POLY重疊的部份去掉假設POLY是1U+ u) f. {: m2 u2 ~( ~7 t* y1 R% x: N
POLY to POLY是2U  每條POLY 為17U
. _" Q8 \  {" K17*10-5*5=145
4 J. @) O: m9 v  Z% J6 i* l右邊這個就沒有重疊的部份,但卻有打折部份的損失,- ~. g. ^4 T( X$ p  @) Z; h
看你要多精準,粗略的打折部份就算是1/2,! f+ q/ q6 a9 x
就這樣子
作者: sjhor    時間: 2008-1-3 09:50 AM
通常  POWER MOS 應該不用算到這麼精細吧!!
, [' d2 Z( e" {1 ?8 ]他是看整個 Rds(on) 所以  這些的誤差應該是可以忽略的吧!!) d, b# i. y' C  d
口字型要看她的整個結構  還有引電位的問題!!3 V- A" e6 [: F" A. `1 r
口字型  應該是對稱性的結構比較好畫!!
: a& c- v- u3 g! z  x1 ]若是 DMOS 目前還沒有實際的使用過!!
作者: bowbow99    時間: 2013-1-31 02:48 PM
Rds(on) 是什麼？？
* v- b# K: y' S怎麼判斷Rds(on)？
作者: sd5517805    時間: 2013-2-27 03:29 PM
希望各位讨论，多谢大家， 。。。。。。



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