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標題: layout 的 metal 耐電流? [打印本頁]
作者: sjhor    時間: 2007-8-1 09:40 AM
標題: layout 的 metal 耐電流?
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!
+ o% F' P- E. u, a/ O7 e+ }這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!
; O+ r/ G/ V+ l/ O要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!
8 G0 I$ Q: B" I$ _& Z! z0 Q0 N不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!* C  F$ O) y$ n$ E/ M. T8 Z
假如以下的狀況:
5 I0 o! S& b4 N4 m5 o. o0 q" t1. Peak current is 2A?8 X: k2 s) ^8 U2 a( L8 e. a
2. Constant current current is 500mA?
作者: m851055    時間: 2007-8-1 09:06 PM
一般power mos之chip都很大，所以空間不足的情形，可以加大IC dim，缺點是cost up。
作者: jauylmz    時間: 2007-8-3 04:21 PM
如以 1um /1mA  來看，用4層metal 同時拉，應該用500um就行了吧
作者: finster    時間: 2007-8-7 10:19 PM
為了因應Power MOS的巿場7 z" X# K3 \8 I. Q1 _
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule2 c* `/ `$ K: J) A1 V- h& C* m
thick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多& z* ]5 v3 [7 b8 {. v* }+ ?
thick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)



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