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標題: Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉 [打印本頁]
作者: jiming    時間: 2007-3-1 06:00 PM
標題: Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉
Editorial: MPR Analysts' Choice Awards
, ^* @/ b8 ^+ Y* W1 TMPR Innovation Award: Razor ) i( n1 W+ C' e, M
MPR Innovation Award: Eutecus: e% k" L+ s' g
MPR Innovation Award: High-k # J& h* ]$ I0 m  z- U4 }
MPR Innovation Award: Planet82's SMPD
: ?& e, x: W1 Y. j8 ^, i* m/ \MPR Innovation Award: Ambric! D) R/ _+ F3 K. |0 X) Z; p
MPR Innovation Award: ARM996HS % F( K& a% J3 ?( O, \4 x
MPR Innovation Award: MRAM
. Q  Q* [! i2 U' z) J" {- SMPR Innovation Award: Intel Core
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飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項/ f0 s( g5 _6 L
MR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體，陸續獲得業界肯定
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8 s) ]/ Z, A  |: O/ w2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾，其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。* q7 N" b: m1 m* A1 e# Z- e; u
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MR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory，NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點，為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用，例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案，以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體，以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。
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飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示：「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定，更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商，我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品，絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」 # T! z6 N" _) J4 {: W( l
( K) J. _. h) }' b( R
獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得，他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構，於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍，候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。 0 |6 y$ k$ w* E' m( n  m; c

$ [$ m* |5 y, G* t5 e有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情，請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html。9 |9 K( y, l: w  Y- {1 L# {
! d) }- l& F# I+ J) }
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