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標題: 請問p阱裡邊的淺色邊框是什麽? [打印本頁]

作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 11:18 AM
標題: 請問p阱裡邊的淺色邊框是什麽?
如題所說,n阱裡邊有一層淺色邊框,請教大家是什麽,謝謝~
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-10 04:46 PM
Pwell,Nwell标清楚一些麽!
作者: m851055    時間: 2008-12-10 07:31 PM
it is Active .....................
0 w! P) w& ~( z; ^# ~
. ^$ p0 A* ^" z% u8 N9 u( `[ 本帖最後由 m851055 於 2008-12-10 07:33 PM 編輯 ]
作者: kirk    時間: 2008-12-10 08:05 PM
我猜....4 p. A" W% [2 ^) ~- a- {) N
裡面是DIFF; e1 p6 q4 u9 T6 C9 {
外面是NIMP
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 10:01 PM
標題: 回復 3# 的帖子
有源區為藍色,                                 8 _" |! A/ j: [. z$ g. C2 R
我的問題是藍色外面的那個框是什麽?
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 10:04 PM
原帖由 semico_ljj 於 2008-12-10 04:46 PM 發表 - e6 v7 l$ N6 v. h- Q
Pwell,Nwell标清楚一些麽!
$ i3 _# D' [' N) i+ C, `8 d
n-sub跟pwell我都有標注,請仔細看
, V* E/ j6 g* ?外面的為n-sub,即n襯底,該mos電晶體為nmos,這下應該夠清楚了吧
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 10:07 PM
這個是一個nmos管的照片,第一張是襯底層,第二張是染色層。/ {) q8 O7 t  G+ B( |$ }" V
對應同一個管子,只是不同層而已。
作者: jian1712    時間: 2008-12-11 11:45 AM
个人感觉有点像field oxide,nmos很清晰,旁边的1条是沉底接触
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-11 01:10 PM
原帖由 jian1712 於 2008-12-11 11:45 AM 發表
3 l9 S) t/ Y4 e3 {) y个人感觉有点像field oxide,nmos很清晰,旁边的1条是沉底接触
' A  A9 Z% }, {" |8 h0 m# d
整個電路中僅有nmos電晶體有這種淺色邊框,pmos是沒有的(這個我先前忘說,抱歉,這裡進上傳了nmos電晶體照片)
$ C' y' y- M/ X如果是場氧,那么pmos也該有這種痕跡才對哦。




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