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標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？ [打印本頁]
作者: lynker    時間: 2008-11-3 04:08 PM
標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？
小弟想在0.35um_BCD制程下，設計一個bandgap，電源電壓為4V到9V，輸出1.25或者2.5V皆可。為了節省面積不想設計為純bipolar結構。如果是使用MOS管的話，我該如何下手啊？MOS管的耐壓大概在5V左右，而電源電壓卻是4V到9V。是否需要一個簡單的降壓電路為bangap供電呢？望高手們指教啊。
作者: shaq    時間: 2008-11-3 11:15 PM
因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。, X7 O0 o8 T* G! K, i& @8 e
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[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 09:02 AM
標題: 回復 2# 的帖子
多謝指教！# `  s3 o. J/ L4 @! d* }
查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什麽？7 ~- a+ o2 e, i# M) z, v

1 r4 e+ K3 I0 ^7 K0 Y[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-4 09:04 AM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 11:01 AM
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:32 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表 0 |2 H/ P. ?# t$ a! ^
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？
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0 q6 I  N. \5 H! d, t5 w( S! `) `0 Y4 F5 d) Z3 z
DMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率
, h( E) [; U3 |, uHVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端
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若有缺漏，麻煩其他高手補足。
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:33 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表 2 e# |% @# ]# P" I$ k6 I9 Q1 X" d
多謝指教！
( S8 b9 p" L0 Z' y, s* y查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？

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有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。
作者: lynker    時間: 2008-11-4 03:30 PM
標題: 回復 6# 的帖子
不知道我這樣做Pre-regulator，是否正確。( v2 a$ A1 N  ?  ]. K, A3 b
我是將幾個接為diode形式的bipolar串起來產生一個4V左右的電壓然後經過source follower， buffer出一個3V的電壓。用這個電壓為MOS結構的bandgap供電。
4 Z7 _$ L$ c( G9 h$ V& A+ D# W大家都是用什麼方法實現的Pre-regulator呢？請指教。
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-4 03:58 PM
不建议bandgap直接用HV MOS做，因为HV Vth不是很准！还是把电压降下来，再设计bandgap
作者: zorro    時間: 2008-11-4 05:22 PM
可否直接用Bipolar來做，因爲B的耐壓一向比較高，到9V應該沒什麽問題。
作者: yutian    時間: 2008-11-6 09:04 AM
請問一樓的樓主，你采用的制程是VGS=5V、VDS=4V至9V的呢？& I& C& q/ s' U1 _3 a5 ?3 o
我用VGS=5V、VDS=18V做過bandgap和regulator，design時要特別注意制程對NMOS和PMOS的VGS的要求，因為不允許其VGS超過5V，tape out出來測試還可以。
- e( C# N1 \* k+ w2 W直接用Bipolar的做bandgap我還沒做過，有機會交流一下。
作者: lynker    時間: 2008-11-6 03:27 PM
回復 10# 的帖子
. h- r/ @2 i4 \. z" Q# A我使用的是BCD制程，bipolar，HVMOS，DMOS耐壓較高，LVMOS則都是3.3V的。現在把電壓降下來了，用LVMOS做的bandgap。
$ v, |4 H+ a5 g/ @, X3 B+ i以前做過一個LDO，是bipolar的，其中bandgap結構如下：
8 w1 C' J: a* @; h* d  h# y( I因為LDO要求不高，所以bandgap未做trimming，4V的LDO tape回來，輸出偏低，分佈在3.92到3.96之間。
作者: enjoymartin    時間: 2008-11-14 11:35 PM
最好还是先做pre-regulator,then design a bandgap circuits.这样你选择的余地比较多了，其实纯bipolar的bandgap主要是功耗和layout面积比较大，但精度还是不错的。建议还是在电路中使用一些lvmos来设计bandgap,结构还是比较多的，看点paper就明白了



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